據南韓媒體報導，處於領先位置的南韓記憶體業務，因競爭對手美光（Micron）全力追趕，面臨嚴重的市場挑戰。
南韓媒體《BusinessKorea》報導指出，全球第五大 NAND Flash 供應廠商美光，逐步展示先進技術的研發實力，除了 2020 年 11 月供貨 176 層堆疊的 NAND Flash 產品，還在 2021 年 1 月量產第 4 代 10 奈米級 DRAM，這些產品目前都還是南韓廠商三星或 SK 海力士無法量產的產品。
報導指出，儘管三星及 SK 海力士目前全球 DRAM 市場總計 71% 市佔率，NAND Flash 市場也有合計 45% 市占率，但兩家公司連續失去相關產品全球新技術首發紀錄，反映技術發展面臨競爭對手的嚴峻挑戰。1~2 年前，三星記憶體技術至少還領先美光約 2 年。
三星 2018 年 7 月量產 96 層堆疊 V-NAND Flash，且 SK 海力士 2019 年 6 月首次量產 128 層堆疊的 4D NAND Flash 時，美光到 2020 年第 2 季才量產 128 層堆疊 NAND Flash。甚至三星還保持從第 1 代到第 3 代 10 奈米級 DRAM 全球首發紀錄。不過美光陸續取得兩項產品領先後，南韓市場人士開始擔憂，南韓記憶體產業市場領先優勢還能維持多久。
報導強調，技術差距縮小的原因，在於記憶體製程技術幾乎達到極限，領先者要進步會比追趕者困難。三星已投資數兆韓圜，且花費很長時間開發新技術。但追趕者卻可參考三星技術發展，減少研發成本投資與時間。南韓市場人士指出，雖然現階段南韓企業成本級設備投資有競爭力，但也被競爭對手逐漸追上。2019 年美光營業利益率為 19.5%，雖低於三星 21.6%，卻領先 SK 海力士 10.1%。即使三星與 SK 海力士努力提高，三星 2020 年營業利益率提升至 25.8%，但 SK 海力士 15.7% 營業利益率仍與美光 15.2% 表現相差無幾。
除了以營業利益率衡量各企業競爭力，更令南韓業界擔心的是，目前歐美全力發展半導體製造業，祭出不少重點發展廠商補助計畫。美光記憶體一直被視為重要戰略科技產品，美國政府將提供美光更優惠的補助措施。據南韓工業聯合會 2020 年 6 月報告顯示，相較中國中芯國際 2014~2018 年的政府補助金額，佔總銷金額 6.6%，美國政府的美光補助也佔總銷金額 3.3%。反觀南韓三星和 SK 海力士，南韓政府補助僅 0.8% 和 0.5%，使競爭對手更有實力投資技術研發，也使南韓企業面臨更大壓力。
（首圖來源：Flickr/Insider Monkey CC BY 2.0）
