南亞科斥資 3 千億元新北市興建新晶圓廠,完成後每月增加 4.5 萬片

作者 | 發布日期 2021 年 04 月 20 日 12:15 | 分類 公司治理 , 記憶體 , 財經 Telegram share ! follow us in feedly


國內 DRAM 記憶體大廠南亞科技 20 日宣布,將斥資新台幣 3,000 億元,於新北市興建新晶圓廠。預計 2021 年底動土之後,2023 年正式建廠完成,2024 年開始進行第一階段量產,全部完工之後將可提供每月 45,000 片晶圓的產能,並增加 2,000 個優質的就業機會。

南亞科技表示,在新北市政府及中央政府單位的支持下,規劃於新北市泰山南林科技園區興建一座雙層無塵室 12 吋先進晶圓廠。此座廠房將採用南亞科技自主研發的 10 奈米級製程技術生產 DRAM 晶片,及規劃建置 EUV 極紫外光微影生產技術,月產能約為 45,000 片晶圓。預期可直接提供 2,000 個優質工作機會,並間接創造產業鏈數千個就業機會。此座先進晶圓廠,預估以 7 年分 3 階段投資,計劃於 2021年底動工,2023 年底完工,2024 年開始第一階段量產,總投資金額約為新台幣 3,000 億元。

南亞科技吳嘉昭董事長表示,DRAM 是所有電子產品智慧化的關鍵元件,是半導體產業極為重要的一環。因應全球記憶體市場成長趨勢,此次南亞科技投資興建先進晶圓廠,提升國際競爭力,讓南亞科技不僅是台灣的 DRAM 領導者,更是全球關鍵記憶體供應商,台塑企業將全力支持,以具體行動增加高經濟產值與優質工作機會貢獻台灣。

而南亞科技李培瑛總經理表示,南亞科技專注於 DRAM 領域超過 25 年,全球累計擁有 4,600 件以上專利,近年來更積極導入人工智慧技術,加速 10 奈米級技術及產品的自主創新研發。2020 年成功開發出 10 奈米級 DRAM 記憶胞技術,並規劃 2021 年導入量產,未來可生產 DDR5, LPDDR5 及 16G b高容量等 DRAM 產品,以因應未來 5G 與智慧世代的發展。新廠的投資計畫亦將導入數個 10 奈米級世代自主技術,說明對 DRAM核心事業的堅持,綠色生產的承諾,並致力成為智慧世代的最佳記憶體夥伴。

而面對當前國內嚴重的旱象,可對於高科技生產造成衝擊的情況,李培瑛則是強調,南亞科技在興建工廠前其就已經對用水及用電做好妥善規劃。就以現階段使用的晶圓廠來說,南亞科技針對用水的回收效能可達到 95% 以上,在配合政府的節約用水政策之後,當前國內的旱象對南亞科技的生產沒有造成影響。另外,針對當前的興建新廠計畫,李培瑛也表示,目前 DRAM 的需求在 5G、IoT、消費性電子市場的帶動下,需求持續成長中。雖然市場報價與供需狀況會有所起伏,但都不影響長時間成長的大趨勢,使得擴廠的作法並不擔心會有供過於求的風險。而如此,雖然不會快速提升南亞科的市占率,卻也不會讓市佔率以所下滑。

李培瑛進一步表示,新廠的興建,屆時預計從第 2 代 10 奈米級的 DRAM 製程開始導入,首階段預計會有 15,000 片的月產能。而在 3 階段完成建設之後,將為南亞科技增加 45,000 片的月產能。這數量雖然相較目前每月 70,000 片的產能少,但因為製程的提升,顆粒產能數量將會較為提升。另外,在新廠中南亞科也規劃建置 EUV 極紫外光微影生產技術,也有相關的技術研發中心。至於,最終什麼製程導入,或是什麼產品導入,還須視市場需求做決定。

(圖片來源:科技新報)