洪嘉聰:聯電先進與特殊製程開發進程順利,為投資策略重點

作者 | 發布日期 2021 年 05 月 10 日 9:40 | 分類 公司治理 , 晶圓 , 晶片 Telegram share ! follow us in feedly


晶圓代工大廠聯電在最新出版的民國 108 年年報,董事長洪嘉聰「致股東報告書」指出,聯電致力於提供客戶全方位晶圓專工解決方案,並與整體供應鏈合作夥伴緊密合作,持續投注於技術研發及產能擴充。未來半導體科技之運用將以人工智慧、物聯網、5G 通訊、汽車電子為主,將有大量的晶片需求,且多為聯電所專精的技術及特殊製程,也是聯電持續投資策略重點。

洪嘉聰強調,研發一直是聯電的營運重心,民國 108 年聯電持續投注研發費用達新臺幣 118.6 億元,持續延攬和培育研發人才,並在先進技術和特殊技術的研發上獲得了豐碩的成果。針對邏輯製程平台推出 14FFC 製程 (14nm FinFET Compact),目前已成功的導入 5G 及網通等應用,良率達業界量產水準。

22 奈米超低功耗(22ULP) 及超低漏電流(22ULL)製程平台目前已完成客戶產品驗證,可應用於類比、混合訊號、射頻等技術之物聯網、行動裝置、車用電子等。28 奈米高效能運算(28HPC+)製程應用於影像信號處理器(ISP)將於民國 109 年導入量產。聯電的 28 奈米毫米波(mmWave)製程技術將可提供低功耗的 CMOS 解決方案。

在特殊技術應用,聯電 40 奈米高壓製程是晶圓專工業界第一個領先開發並量產,提供高階有機發光顯示器(AMOLED)市場。28 奈米高壓技術也已進入量產階段。此外,22 奈米高壓製程技術(22eHV)研發進度也符合預期指標。射頻絕緣半導體(RFSOI)技術提供一流性能及滿足所有 4G/5G 手機對射頻開關的嚴格要求,目前 0.13/0.11 微米和 90 奈米製程已廣泛進入量產,聯電已著手開發 55 奈米 RFSOI 技術平台,以銜接後續成長動能。

內嵌式快閃記憶體技術(eFlash)部分,55 奈米 MCU 已導入量產,40 奈米 SST 已完成良率與可靠度驗證即將導入量產,28 奈米 SST 研發進度也符合預期,將供應物聯網(IoT)需求。40 奈米電阻式隨機存取記憶體(ReRAM)已進入小量生產階段。22 奈米電阻式記憶體(ReRAM) 技術平台和 22 奈米嵌入式磁阻隨機存取記憶體(eMRAM)製程平台,可應用於智慧物聯網(AIoT)等相關產品,研發業已如期進行。除此之外,聯電積極投入第三代半導體材料氮化鎵(GaN)開發以布局高效能電源功率元件市場。

展望未來,在既定「兼顧財務體質改善及持續成長」經營策略下,聯電經營團隊將聚焦於:1. 整合組織效能,開發技術,全面提升品質與生產力,以追求卓越為全公司目標。2. 與供應鏈緊密合作,改善產品組合與強化市佔率,維持穩健的獲利能力。3. 致力於客戶服務,強化綜效與附加價值,與客戶共同成長,創造雙贏。4. 提升永續經營的競爭力,以維護股東最大權益。

(首圖來源:聯電)