晶圓代工大廠聯電在最新出版的民國 108 年年報，董事長洪嘉聰「致股東報告書」指出，聯電致力於提供客戶全方位晶圓專工解決方案，並與整體供應鏈合作夥伴緊密合作，持續投注於技術研發及產能擴充。未來半導體科技之運用將以人工智慧、物聯網、5G 通訊、汽車電子為主，將有大量的晶片需求，且多為聯電所專精的技術及特殊製程，也是聯電持續投資策略重點。
洪嘉聰強調，研發一直是聯電的營運重心，民國 108 年聯電持續投注研發費用達新臺幣 118.6 億元，持續延攬和培育研發人才，並在先進技術和特殊技術的研發上獲得了豐碩的成果。針對邏輯製程平台推出 14FFC 製程 （14nm FinFET Compact），目前已成功的導入 5G 及網通等應用，良率達業界量產水準。
22 奈米超低功耗（22ULP） 及超低漏電流（22ULL）製程平台目前已完成客戶產品驗證，可應用於類比、混合訊號、射頻等技術之物聯網、行動裝置、車用電子等。28 奈米高效能運算（28HPC+）製程應用於影像信號處理器（ISP）將於民國 109 年導入量產。聯電的 28 奈米毫米波（mmWave）製程技術將可提供低功耗的 CMOS 解決方案。
在特殊技術應用，聯電 40 奈米高壓製程是晶圓專工業界第一個領先開發並量產，提供高階有機發光顯示器（AMOLED）市場。28 奈米高壓技術也已進入量產階段。此外，22 奈米高壓製程技術（22eHV）研發進度也符合預期指標。射頻絕緣半導體（RFSOI）技術提供一流性能及滿足所有 4G／5G 手機對射頻開關的嚴格要求，目前 0.13／0.11 微米和 90 奈米製程已廣泛進入量產，聯電已著手開發 55 奈米 RFSOI 技術平台，以銜接後續成長動能。
內嵌式快閃記憶體技術（eFlash）部分，55 奈米 MCU 已導入量產，40 奈米 SST 已完成良率與可靠度驗證即將導入量產，28 奈米 SST 研發進度也符合預期，將供應物聯網（IoT）需求。40 奈米電阻式隨機存取記憶體（ReRAM）已進入小量生產階段。22 奈米電阻式記憶體（ReRAM） 技術平台和 22 奈米嵌入式磁阻隨機存取記憶體（eMRAM）製程平台，可應用於智慧物聯網（AIoT）等相關產品，研發業已如期進行。除此之外，聯電積極投入第三代半導體材料氮化鎵（GaN）開發以布局高效能電源功率元件市場。
展望未來，在既定「兼顧財務體質改善及持續成長」經營策略下，聯電經營團隊將聚焦於：1. 整合組織效能，開發技術，全面提升品質與生產力，以追求卓越為全公司目標。2. 與供應鏈緊密合作，改善產品組合與強化市佔率，維持穩健的獲利能力。3. 致力於客戶服務，強化綜效與附加價值，與客戶共同成長，創造雙贏。4. 提升永續經營的競爭力，以維護股東最大權益。
(首圖來源：聯電)
