就在日前傳出台積電正思考在日本獨資興建並營運晶圓廠之後，美商記憶體大廠美光（Micron）執行長 Sanjay Mehrotra 近期接受《日本經濟新聞》採訪時也表示，美光將與日本政府合作，透過擴大在日本的投資，以及與當地設備和材料公司合作，加強日本的半導體供應鏈。而針對此一計畫，韓媒指稱將可能影響南韓記憶體廠商的發展。
報導指出， Sanjay Mehrotra 表示，美光願意與日本公司合作開發第 5 代 10 奈米級的 DRAM 生產技術。事實上，美光已經於 6 月初的 Computex 2021 活動中宣布，已開始量產全球首批第 4 代 10 奈米級的 DRAM。目前，南韓的三星和 SK 海力士兩家領先全球的記憶體大廠，當前 DRAM 全球市場上的排名非別為第一和第二。但兩家公司仍專注第 3 代 10 奈米級 DRAM 生產。因此，在技術領先的情況下，美光已經開始在市場佔有率方面逐步威脅三星及 SK 海力士。
此外，美光還看上全球 NAND Flash 快閃記憶體全球市場佔有率第二的日本鎧俠（Kioxia）。 根據市場研究及調查機構 TrendForce 資料顯示，三星電子當前以 33.5% 市佔率位居 NAND Flash 快閃記憶體全球市場的龍頭，而美光以 11.1% 的市佔率排名第 5。如果美光收購了市佔率達 18.7% 的鎧俠之後，美光將進一步將威脅三星。
報導還強調，除了記憶體市場，晶圓代工市場，全球晶圓代工龍頭台積電目前也傳出將在日本進行一系列投資的計畫，以加強與美國和日本之間的合作關係。台積電在 2 月份宣布將在日本築波市建立半導體材料的研發設施後，日前也由日媒報導表示，台積電也計劃在日本建立一家獨資的晶圓廠。
相較台積電近期已在美國亞利桑那州開始動工興建先進製程晶圓廠，併計劃在未來 3 年投資 1,000 億美元，用以提高晶圓廠的技術與生產力。南韓三星則計劃投資 170 億美元擴大美國德州晶圓廠，也將對南韓平澤市 P3 晶圓廠產線進行新投資。不過三星並未透露新投資任何細節。儘管三星電子決定 2030 年前在系統半導體領域的投資金額，由原本 133 兆韓圜擴大到 171 兆韓圜，與台積電 3 年內投資 111 兆韓圜相比還是相形見絀。
（首圖來源：科技新報攝）
