華邦電與新思科技攜手,提供完整高容量 NAND 記憶體解決方案

作者 | 發布日期 2021 年 07 月 23 日 14:00 | 分類 記憶體 , 財經 , 零組件 Telegram share ! follow us in feedly


記憶體廠華邦電日前宣佈,華邦電的 OctalNAND Flash 可透過與新思科技用於 AMBA DesignWare Synchronous Serial Interface (SSI) IP 的整合,獲得完整的支持。

華邦電表示,DesignWare SSI IP 擁有優化記憶體的性能,可幫助串列式快閃記憶體與華邦 OctalNAND Flash 實現高傳輸速率並降低其延遲性。華邦與新思科技此次攜手,使其具備容量高達 4Gb、高速讀取功能的 OctalNAND Flash 能被快速導入,為汽車、移動設備和物聯網裝置等應用領域提供完整的記憶體解決方案。另外,作為全球首款 8 I/O 串列式 NAND Flash,華邦 OctalNAND Flash 不僅為汽車、通訊和工業系統製造商提供現今最高容量的嵌入式代碼儲存產品,同時在與 NOR Flash 相同的性能之外,成本上更顯現其優勢。

而目前 NOR Flash 技術上已達極限,導致於高容量產品的價格居高不下。快閃記憶體供應商難以保證在採用行業標準封裝的同時,還能繼續再優化以獲得更佳的性能與成本效益。於是,為解決現存的問題,華邦開發了 OctalNAND Flash 解決方案。過去,在先進駕駛輔助系統 (ADAS)、汽車儀錶板和工廠自動化控制器等應用中,系統設計人員大多使用 NOR Flash技術,但由於這些系統的代碼大小使用逐漸超過 512Mb,使用 NOR Flash 的成本就會遠高於同等容量的 NAND Flash。

華邦電強調,大多數高容量嵌入式應用中,一般都會將大量系統代碼映射到 DRAM 中執行,而 OctalNAND Flash 的讀取傳輸速率可達每秒 240MB,且具備連續讀取的能力,能夠大幅度節省傳輸時間。雖然 NAND Flash 無法避免記憶體壞塊的出現,但華邦的OctalNAND Flash 具備壞塊置換功能,可將壞塊映射並做好替換,從而使主晶片能夠保持連續性的資料傳輸並簡化高速代碼映射的流程,無需主晶片進行跳過壞塊的處理方式。

隨著 OTA 更新成為嵌入式系統設計中的標準功能,其所需記憶體容量也隨之翻倍。如今, 1Gb 與 2Gb 的記憶體用於代碼儲存相當普遍,甚至4Gb 也被頻繁採用。OTA 普及後,快閃記憶體的擦除和寫入速度變得尤為重要。與 NOR Flash 相比,OctalNAND Flash 的擦除速度最高可比其快400 倍,寫入速度最高可快 50 倍。當快閃記憶體中的大部分內容都需要 OTA 更新時,從 NOR Flash 轉換至 OctalNAND Flash 意謂擦除/寫入時間將可從近 10 分鐘縮短至不足 1 分鐘,從而大大提高系統可用性和使用者體驗。

新思科技 IP 行銷和策略資深副總裁John Koeter 表示,新思科技的 DesignWare SSI IP 能幫助華邦 OctalNAND Flash,在提供高速記憶體讀取能力的同時也簡化移動設備、消費電子、物聯網和汽車單晶片系統上採用 OctalNAND Flash 的流程。借助 DesignWare SSI IP 和 OctalNAND Flash 的結合,低成本、高速、高容量快閃記憶體將協助系統單晶片設計師縮短其晶片上市的時間。

華邦快閃記憶體技術總監 J.W.Park 指出,華邦與新思科技此次合作, DesignWare SSI IP 提供對 OctalNAND Flash 的支持,使華邦客戶能夠更輕鬆地使用 OctalNAND Flash 的先進功能。通過使用結合了 OctalNAND Flash 與 DesignWare SSI IP 的晶片組,系統製造商可根據對性能、容量、價格的不同要求,選擇其最適合的快閃記憶體,包括 Serial NOR Flash、QspiNAND Flash 或 OctalNAND Flash。

(首圖來源:官網)