台積電美國市場競爭對手到齊,英特爾 9/24 舉行新晶圓廠動土

作者 | 發布日期 2021 年 09 月 23 日 10:50 | 分類 IC 設計 , 晶圓 , 晶片 Telegram share ! follow us in feedly


處理器龍頭英特爾 (intel) 官方消息,日前宣布將在美國亞利桑那州興建的兩座新晶圓廠,預計 24 日舉行動土奠基儀式,屆時英特爾執行長 Pat Gelsinger 將親自出席。

英特爾 3 月舉辦主題為「英特爾發力:以工程技術創未來」的全球直播活動,Pat Gelsinger 分享 IDM 2.0 願景,闡述如何透過製造、設計和運交產品,為利益相關的對象創造長期價值的未來路徑,英特爾稱為 IDM 模式的重大革新。為了加速實現 IDM 2.0 計畫,英特爾宣布擴大產能,投資約 200 億美元於亞利桑那州 Octillo 園區興建兩座新晶圓廠。

經過半年準備,英特爾正式宣布 9 月 24 日舉行新晶圓廠建造動土奠基儀式,Pat Gelsinger 將與主要政府官員出席,將是美國亞利桑那州史上最大規模的私人企業投資計畫。英特爾表示,憑著 IDM 2.0 策略,英特爾致力投資製造能力,以支援全球對半導體大幅成長的需求。公司最近宣布計劃在亞利桑那州 Ocotillo 園區建造兩座新先進製程晶圓廠,將支援英特爾產品不斷擴大的需求,並為代工客戶提供承諾的產能。

因為呼應美國拜登政府要讓半導體製造重返美國的計畫,2020 年晶圓代工龍頭台積電就領先宣布,預計在美國亞歷桑納州鳳凰城斥資 120 億美元興建以 5 奈米製程為主的晶圓廠。台積電日前指出,目前該廠已進入動土施工階段,而相關員工也來台積電極進行訓練當中,而依照規劃時程,該廠將在 2024 年開始進行大規模的量產。

而除了台積電之外,競爭對手南韓三星也傳出預計在美國興建第二座晶圓廠的消息,新廠地點將落腳美國德州三星第一座晶圓廠的附近,預計斥資 170 億美元的金額。另外,該廠的最新市場消息,三星將導入閘極全環電晶體(Gate-all-around,GAA)技術,並自 2026 年開始進一步量產,企圖以技術填補量產時間的落後,企圖彎道超車台積電。

如今隨著英特爾於 24 日將舉行新晶圓廠動土奠基典禮,則象徵著目前全球有能力進行先進製程生產的晶圓代工廠全都匯集美國當地,這除了將能有效的支應市場需求之外,針對先世代的製程競爭也變得更加劇烈。因此,台積電能否持續占有強大的市場優勢,英特爾與三星則能否有機會進一步攻城掠地,仍就是市場所矚目的焦點,也有待後續觀察發展狀況。

(首圖來源:英特爾)