英特爾搶先台積電下訂業界首部新世代 EUV,強化與 ASML 技術合作

作者 | 發布日期 2022 年 01 月 19 日 22:30 | 分類 IC 設計 , 晶片 , 材料、設備 Telegram share ! follow us in feedly


為推動尖端半導體微影技術發展,微影技術與曝光機大廠艾司摩爾 (ASML) 與處理器龍頭英特爾於台北時間 19 日晚間宣布長遠合作的最新發展,為雙方長遠高數值孔徑合作案的框架內容,英特爾已向 ASML 下訂業界首部 TWINSCAN EXE:5200 系統訂單。這款具備 High-NA 極紫外光(EUV)大量生產系統,每小時有 200 片以上晶圓產能。

ASML 技術長 Martin van den Brink 表示,英特爾的遠見和對 ASML High-NA EUV 的早期承諾,為不斷追求摩爾定律的絕佳佐證。相較目前 EUV 系統,我們持續創新拓展 EUV 路線圖,進一步降低複雜性、成本、週期時間和能量,提供驅動晶片產業下個 10 年的良好經濟規模延展性。

英特爾去年 7 月 Accelarated 活動宣布,部署首款 High-NA 技術計畫,確立電晶體創新路線圖發展。英特爾早在 2018 年即是之前 TWINSCAN EXE:5000 系統首位買家,透過今日宣布的新訂購案,合作關係將隨英特爾 2025 年開始以高數值孔徑 EUV 生產製造延續。

英特爾執行副總裁暨技術開發事業部總經理 Ann Kelleher 也指出,「英特爾的重點就是保持半導體微影技術的領先地位,2021年英特爾持續打造 EUV 專業知識和能力。透過與 ASML 密切合作,英特爾將汲取 High-NA EUV 高階析度圖案化優勢,為延續摩爾定律方式之一,並將追尋電晶體微縮的優良傳統延續下去。」

ASML 最新 EXE 平台為 EUV 技術的演化步驟,含新穎光學設計與大幅提升速度的光罩與晶圓階段。TWINSCAN EXE:5000 和 EXE:5200 系統與之前 EUV 機器的 0.33 數值孔徑鏡片相比,提供精確度提升的 0.55 數值孔徑,為更小電晶體特徵提供更高的解析度圖案化。系統數值孔徑結合使用波長,決定最小能印製的特徵尺寸。

EUV 0.55 NA 為 2025 年開始的多個未來節點設計,同時也是業界首次部署技術,隨之而來的將是具備相近密度的記憶體技術。2021 年投資者關係日,ASML 分享 EUV 藍圖規劃,並表示 High-NA 技術有望自 2025 開始支援生產製造,因此當前的聲明與藍圖規劃一致。

(首圖來源:英特爾)