英飛凌斥資逾 20 億歐元,馬來西亞擴產強化 SiC、GaN 製造能力 作者 侯 冠州 | 發布日期 2022 年 02 月 22 日 10:24 | 分類 公司治理 , 國際觀察 , 晶圓 | edit 為進一步鞏固功率半導體市場競爭優勢,英飛凌(Infineon)宣布將大幅提升寬能隙(碳化矽和氮化鎵)半導體的產能,欲斥資逾 20 億歐元,在馬來西亞居林工廠建造第三個廠區。建成之後,新廠區將用於生產碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導體產品,每年可為英飛凌創造 20 億歐元收入。 從這裡可透過《Google 新聞》追蹤 TechNews 科技新知,時時更新 科技新報粉絲團 加入好友 訂閱免費電子報 關鍵字: GaN , SiC , 居林 , 英飛凌