為進一步鞏固功率半導體市場競爭優勢，英飛凌（Infineon）宣布將大幅提升寬能隙（碳化矽和氮化鎵）半導體的產能，欲斥資逾 20 億歐元，在馬來西亞居林工廠建造第三個廠區。建成之後，新廠區將用於生產碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）功率半導體產品，每年可為英飛凌創造 20 億歐元收入。
英飛凌營運長 Jochen Hanebeck 表示，再生能源和電動汽車是推動功率半導體市場持續強勁增長的主要驅動力，英飛凌透過擴大碳化矽和氮化鎵功率半導體的產能，為迎接寬能隙半導體市場的快速發展做好準備。
此次擴建是英飛凌根據長期戰略而做出的決策，居林工廠的投資擴產將進一步強化公司整體的競爭優勢。目前英飛凌已向 3,000 多個客戶提供基於碳化矽的半導體產品，這些產品被廣泛應用於各個領域，為客戶創造了更高的價值。
英飛凌表示，目標至本世紀 20 年代中期，碳化矽功率半導體的銷售額將提升至 10 億美元；同時，氮化鎵市場預計也將迎來激增。根據市調機構研究，氮化鎵將從 2020 年的 4,700 萬美元增至 2025 年的 8.01 億美元，年複合成長率為76%。
英飛凌進一步說明，居林新廠區滿負荷運轉之後，將創造 900 個高價值型就業機會。新廠區將於今年 6 月開始施工，在 2024 年夏季進行設備安裝。首批晶圓將於 2024 年下半年開始出貨，對居林工廠的新增投資主要用於磊晶製程和晶圓切割等具有高附加值的環節。
至於奧地利菲拉赫工廠，英飛凌指出，在未來幾年將透過改造現有的矽晶圓製造設備，進一步強化其做為寬能隙半導體技術全球能力中心和創新基地的角色。透過重新利用非專用的矽晶圓生產設備，將 6 吋和 8 吋的矽晶圓生產線轉做為碳化矽和氮化鎵元件的生產線；菲拉赫工廠目前正為迎接進一步的成長做準備。
（首圖來源：英飛凌）
