南亞科斥資 3,000 億元 12 吋新廠預計 6/23 動土

記憶體大廠南亞科日前發媒體邀請函，指出南林科技園區新建雙層無塵室 12 吋廠計劃將於 6 月 23 日舉行動土典禮，為 2021 年 4 月宣布的擴產計劃邁出關鍵性一步。

據南亞科規劃，此廠房採用南亞科技自主研發 10 奈米級製程技術生產 DRAM 晶片，及規劃建置 EUV 極紫外光微影生產技術，月產能約 45,000 片晶圓，預期直接提供 2,000 個工作機會，並間接創造產業鏈數千個就業機會。此先進晶圓廠預估以 7 年分 3 階段投資，計劃 2021 年底動工，2023 年底完工，2024 年開始第一階段量產，總投資金額約新台幣 3,000 億元。

南亞科總經理李培瑛曾指出，新廠預計從第二代 10 奈米級 DRAM 製程開始導入，首階段 15,000 片月產能，3 階段完成後，將為南亞科增加 45,000 片月產能。雖較目前每月 70,000 片產能少，但因製程提升，顆粒產能數量將提升。新廠南亞科也規劃建置 EUV 極紫外光微影生產技術，也有技術研發中心，最終什麼製程導入或什麼產品導入，還須視市場需求決定。

南亞科第一季法說會李培瑛指出，新廠建照尚未取得加上缺工問題，一直未動土，也影響完工量產時間。除了建設費用提高，也使南亞科位元產能增加有限，僅能藉 30 奈米或 20 奈米等級製程轉換到 10 奈米等級只小部分提升。不過 10 奈米級新製程的研發進度符合時程。新廠落成量產時間是否維持原來計畫，有待典禮當天南亞科再宣布。

(首圖來源：科技新報攝)