美系外資全球記憶體產業研究指出，雖然保守態度持續，但 NAND Flash 庫存與定價還在調整，顯示廠商巨大虧損收斂中。DRAM 部分，因 HBM 需求擴大，DRAM 與 HBM 分成兩個市場，台系記憶體供應商群聯、華邦電受惠，給予「優於大盤」評等，南亞科也提升至「中立」評等，力積電與旺宏維持「不如大盤」評等。
近期記憶體市場有幾項變化，三星提升 NAND Flash 減產幅度使現貨價上揚，連帶影響合約價上漲 10%~20%；HBM 市占第四季及 2024 年都不會有意義變化；DRAM 價格因產品性能差異及行動客戶與模組廠持續增加庫存，因應市場復甦。都對全球記憶體市場產生影響。
大家關注的 HBM，雖然有機會推動 DRAM 發展，但競爭不會有太大變化。三星 HBM3 即便已送樣，仍需客戶認證，且不會影響客戶與 SK 海力士長約採購。HBM3e 為樣品階段，有多家雲端運算商也開始簽訂採購協議，訂單將持續到 2024 年。
供應商受惠原因來自 NAND Flash 現金流復甦、消費性 NOR Flash 觸底反彈，以及 HBM 領域有強勢競爭地位等。除了 SK 海力士 AI 週期成長曲線保持領先，台系記憶體供應商群聯、華邦電將受惠。群聯受惠低價庫存，再加上自研 re-driver、re-timer，可和 Bundle NAND 一起賣給伺服器客戶，銷售有利基點。南亞科則因利基型 DRAM 第三季報價跌幅收窄至 5%~10%，第四季持平。
(首圖來源：SK 海力士)
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