台積電 2 奈米製程進展順利,寶山 P1 廠最快第二季初設備安裝

作者 | 發布日期 2024 年 01 月 16 日 7:00 | 分類 公司治理 , 半導體 , 國際觀察 line share follow us in feedly line share
台積電 2 奈米製程進展順利,寶山 P1 廠最快第二季初設備安裝


根據市場消息指出,晶圓代工龍頭台積電預計自 2 奈米製程開始採用 GAA(全柵極環繞)架構的計畫將如期執行。現階段位於新竹科學園區的寶山 P1 晶圓廠,預計最快將在 2024 年的 4 月份開始進行設備安裝的工程,這也將使得 P2 工廠和高雄工廠都將於 2025 年開始生產 GAA 架構的 2 奈米製程技術。

而因為 P2 工廠和高雄工廠都將於 2025 年開始生產 GAA 架構的 2 奈米製程技術,加上中科部分初步規劃的 A14 和 A10 生產線,未來也將因應市場的需求狀況,進一步規劃 2 奈米製程技術的情況下,未來 2 奈米製程技術將會成為台積電接下來一個重要的製程節點。在此情況下,半導體設備廠商包括國際大廠 ASML、應用材料,還有多家台灣供應商都將預計將能迎接新一階段的商機。

根據台積電的財報顯示,2023 年第三季在 3 奈米製程技術的營收占比約為 6% 左右,現階段 3 奈米製程的月產能也已經逐步增加到 10 萬片的規模,這將對於台積電對於 2024 年對營收的貢獻更大。其中,繼 N3B 製程之後,性能更好的 N3E 也已經在 2023 年第四季開始量產,接下來還有 N3P、N3X 製程技術,也將滿足各類客戶的需求。

接下來,對於台積電即將在 2025 年量產的 2 奈米製程技術,當前的客戶都興趣濃厚。其中,又以 HPC 高效能運算、智慧型手機兩大應用領域最為積極。而由於英特爾在日前宣布,已經取得 ASML 旗下首套 High-NA EUV 曝光設備的情況下,儘管台積電尚未公布這類設備的採購計畫,但因為曝光設備是先進製程所不能或缺的,相信台積電也已經有所規劃。只是,要將 High-NA EUV 曝光設備自哪一個製程開始使用,則還有待後續觀察。

(首圖來源:台積電)