HBM 業績太亮眼,SK 海力士 2023 年第四季轉虧為盈

作者 | 發布日期 2024 年 01 月 25 日 8:00 | 分類 IC 設計 , 半導體 , 晶片 line share follow us in feedly line share
HBM 業績太亮眼,SK 海力士 2023 年第四季轉虧為盈


韓國記憶體大廠 SK 海力士發布截至 2023 年 12 月 31 日的 2023 年第四季及 2023 年全年財報。其中,第四季營收為 11.3055 兆韓圜,營業利益為 0.3460 兆韓圜,淨虧損為 1.3795 兆韓圜。至於,2023 年第四季營業利益率為 3%,淨虧損率為 12%。

SK 海力士指出,隨著半導體記憶體市況反彈,2023 年第四季的營業利益達到 0.3460 兆韓圜,成功達到由虧轉盈。這代表著 SK 海力士僅花費一年,其就擺脫了從 2022 年第四季以來一直持續的營業虧損情況。

SK 海力士強調,2023 年第四季用於 AI 伺服器和移動端的產品需求成長,使得平均售價(ASP)上升,讓記憶體市場環境有所改善。在此同時,SK 海力士持續實施以獲利為主的經營計畫發揮了效果,僅時隔一年實現了單季業績由虧轉盈的目標。

另外,SK 海力士減少了截至 2023 年第三季持續的累積營業虧損規模。累計,2023 年合併營收為 32.7657 兆韓圜,營業虧損為 7.7303 兆韓圜,淨虧損為 9.1375 兆韓圜。整體來說, 2023 年營業虧損率為 24%,淨虧損率為 28%。

SK 海力士進一步指出,2023 年在 DRAM 方面,公司以引領市場的技術實力積極應對了客戶需求,公司主力產品 DDR5 DRAM 和 HBM3 的營收較 2022 年分別成長 4 倍和 5 倍以上。另外,對於市況復甦相對緩慢的 NAND Flash 快閃記憶體市場,經營計畫主要集中於投資和費用的效率化。

順應高性能 DRAM 需求的成長趨勢,SK 海力士將順利進行用於 AI 的記憶體 HBM3E 的量產和 HBM4 的研發,同時將 DDR5 DRAM 和 LPDDR5T DRAM 等高性能、高容量產品及時供應於伺服器和行動端市場。而且,公司為了應對持續成長的 AI 伺服器需求和邊緣 AI 運算應用普及,將為準備高容量伺服器模組 MCRDIMM 和行動端模組 LPCAMM2 竭盡全力發展,由此持續保持技術領先優勢。NAND Flash 快閃記憶體方面,則是決定通過以 eSSD 等高階產品為主擴大銷售,改善獲利,並加強內部管理。

最後,SK 海力士強調,2024 年與 2023 年一樣,藉由以高附加值產品為主擴大生產,維持提升獲利能力和效率的政策,同時達成資本支出的最小化,注重於業務的穩定運營。對此,SK 海力士財務擔當副社長(CFO)金祐賢表示,儘管市場長期低迷,但公司鞏固了在用於 AI 的記憶體等技術領域的領先地位,並在 2023 年第四季達成轉虧為盈,業績開始全面反彈。面對新的飛躍時期,公司將引領變革,並提供為客戶客製化的解決方案,成長為整合 AI 記憶體提供者。

(首圖來源:SK 海力士)