61.4 億美元補助加 75 億美元貸款，美光補助也到手

美國政府宣布，據雙方簽訂的不具約束力的初步備忘錄，美國政府據《晶片與科學法案》補助記憶體大廠美光最高 61.4 億美元（約新台幣 1,980 億元），另 75 億美元低利貸款，支援美光投資美國半導體產線。

美光表示，到 2030 年前美國投資 500 億美元，紐約州建設兩座先進 DRAM 記憶體超級晶圓廠，美光總部所在地愛達荷州也將興建一座先進 DRAM 記憶體晶圓廠。愛達荷州晶圓廠 2025 年完工，2026 年生產 DRAM。美光紐約州首座晶圓廠 2025 年動工，2028 年完工。

美光長期 500 億美元投資，是 1,250 億美元投資計畫的一部分。紐約州投資共 1,000 億美元，到 2041 年興建完成四座超級晶圓廠，愛達荷州市投資 250 億美元。新晶圓廠每座無塵室面積都達 60 萬平方英尺，2030 年完工前三座晶圓廠後，推動美國的先進記憶體製造市占率，從不到 2% 成長至 2035 年約 10%，符合美國政府致力回到半導體製造領先地位目標。

20 多年內美光先進五座晶圓廠將創造 11,000 個職缺，以及 9,000 個建築職缺，加上 55,000 個間接職缺。雙方簽訂備忘錄，獲政府 61.4 億美元補助後，美光還可獲最高 75 億美元（約新台幣 2,400 億元）貸款。美光也有資格獲美國財政部投資稅收抵免，加上紐約州政府價值 55 億美元（約新台幣 1,770 億元) 獎勵。

(首圖來源：科技新報攝)