日本記憶體大廠鎧俠(Kioxia)宣布,日本岩手縣北上市工廠新 Fab 2(K2)大樓完工,是北上工廠第二個快閃記憶體生產設施,2025 年秋天營運。鎧俠表示記憶體市場復甦,逐步投資,同時密切關注快閃記憶體動向與趨勢。
鎧俠說雖然新建快閃記憶體生產設施要等到 2025 年才投產,但鎧俠旁邊建造的行政大樓已做好準備,部分行政及工程部門 11 月入駐,監督 Fab 2 生產設施。2 月 Fab 2 部分投資取得日本政府補助。
鎧俠與威騰合資四日工廠和北上工廠都獲政府補助,高達 1,500 億日圓。採創新晶圓鍵合的最新 3D NAND Flash 快閃記憶體,還有下代先進製程工廠,也是鎧俠與威騰合資後,第二次獲日本政府補助。日本政府是為促進日本企業投資尖端半導體生產設施,並確保本土半導體穩定生產。
鎧俠強調,致力抓住 NAND Flash 商機,滿足人工智慧(AI)應用和資料中心日益成長的需求,並積極提升研發能力,並適時投資。
(首圖來源:鎧俠)