韓媒報導，涉嫌向中國長鑫存儲洩露半導體技術的一名前三星電子研究員，今天遭首爾法院一審判處有期徒刑七年。韓國檢方之前指出，三星因此蒙受巨額損失，光 2024 年銷售額就減少 5 兆韓圜（約新台幣 1,050 億元）。
韓聯社報導，首爾中央地方法院刑事審判第28合議庭今天對三星半導體技術遭洩案作出一審判決，判處嫌疑人全某有期徒刑七年。
審判庭認定，被洩露的是韓國國家核心技術，全某參與洩露技術過程。全某將大企業投入巨額資金研發的關鍵技術訊息外洩，並讓外國單位使用，造成有關企業乃至國家利益受損，應予以嚴懲。
全某曾與三星前經理金某一起離職並跳槽至中國半導體企業長鑫存儲。全某涉嫌將三星動態隨機存取記憶體（DRAM）製程技術洩露給中方，去年5月被逮捕起訴。涉案技術為三星投入1.6兆韓圜資金、全球率先研發的10奈米級DRAM最新製程。
經查發現，全某以提供涉案技術資訊為代價，近六年從長鑫存儲方面共獲利29億韓圜，包括合約獎勵3億韓圜、價值3億韓圜的認股權等。韓國檢方去年12月23日又對五名三星前員工提起逮捕起訴，並以相同罪名對中國長鑫存儲研發團隊五名員工提起不逮捕起訴。
檢方調查顯示，長鑫存儲成立後，立即聘請三星前部長A某擔任研發室長。為取得三星獨有10奈米級DRAM製程，A某牽頭招募各核心工序技術骨幹。期間三星前研究員B某將DRAM製程核心PRP（製程配方）親筆抄錄後帶離公司，之後跳槽至長鑫存儲。此舉讓長鑫存儲完整掌握當時全球唯一10奈米級DRAM全套製程。
韓國檢方查明，長鑫存儲吸納多名三星前員工後，正式啟動DRAM研發。研發期間，還透過合作商額外取得韓國SK海力士半導體製程。掌握韓企兩大核心半導體技術後，長鑫存儲2023年實現10奈米級DRAM量產，成為中國首家、全球第四家掌握該技術的企業。
韓國檢方指出，此次技術外洩事件導致韓國核心產業技術流失，造成巨額經濟損失。據檢方推算，三星電子僅2024年銷售額就減少5兆韓圜。若疊加此事件對韓國整體經濟的後續負面影響，總損失額至少達數十兆韓圜。
（首圖來源：Pixabay）
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