美光 Fab 6 投產 LPDDR4 / DDR4,不影響 DDR4 供給短缺格局

作者 | 發布日期 2026 年 05 月 26 日 16:05 | 分類 半導體 , 記憶體 , 財經 line share Linkedin share follow us in feedly line share
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美光 Fab 6 投產 LPDDR4 / DDR4,不影響 DDR4 供給短缺格局

美光近日宣布美國維吉尼亞州 Fab 6 開始投產 1α 奈米 LPDDR4 和 DDR4,主要供應汽車、國防航太、工業、網通及醫療等關鍵領域客戶。TrendForce 最新記憶體產業研究,Fab 6 擴產主要反映美光產能配置調整,而非重啟對消費性 DDR4 產能。

TrendForce分析,此次美光產線轉移呼應美國政府強化企業產能回流本土的政策,調整Fab 6生產重心至LPDDR4及DDR4,尤以前者為主,預估整體投片量2027年第四季成長至2026年第二季1.5倍。1α奈米投片將於年底量產,2027年提升投片至四倍規模。同時,OMT廠1α奈米將逐季減產,整體DDR4與LPDDR4並無擴產規劃。

Fab 6新增DDR4 / LPDDR4產線設備除了來自OMT廠區,尚有額外購置設備以滿足製程升級需求。OMT廠區產線轉移至Fab 6後,TrendForce估2026年美光DDR4整體DRAM產出占比將收斂至7%左右,並逐年減少。從整體DRAM產業角度觀察,考量網通等需求仍然強勁,TrendForce研判2026年DDR4將持續缺貨,價格維持上行。

未來美光全球產能配置將呈現明確分工:OMT廠區聚焦DDR5、HBM等主流量產規格的記憶體生產,Fab 6則專注需求量較小的長生命週期產品。

(首圖來源:Micron

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