在NAND Flash市場的激烈競爭中，韓國記憶體大廠SK 海力士與三星的堆疊層數競賽正進入白熱化階段。目前，SK 海力士已完成375層NAND Flash解決方案的驗證，並預計在其現有的晶圓廠內啟動量產，目標是在2026年底前提供具備更高儲存容量的產品。這些目前正在生產321層堆疊V9 NAND Flash等產品的廠房，之後將陸續進行轉換以支援最新的製程。
業界消息指出，這款375層NAND Flash最初在SK 海力士內部被標榜為400層堆疊等級，但由於晶片在堆疊大量層數時遭遇技術阻礙，最終決定削減多餘的層數，並修正為375層。儘管如此，SK 海力士的技術發展並未停歇，其未來的產品路線圖已確認將朝向480層與604層堆疊的NAND Flash邁進。
然而，要突破400層堆疊以上的技術極限，必須採用全新的製程策略。隨著電路佈線變得越來越窄，傳統的鎢薄膜在維持高電阻時會面臨訊號傳輸問題，因此業界正透過將材料替換為鉬來解決此瓶頸。由於鉬具備更優異的電阻特性，而主要競爭對手三星早已開始在製程中使用該材料，並預計於2026年推出首批優化後的400層V-NAND Flash產品，甚至放眼未來高達1,000層的雙堆疊解決方案。
隨著全球儲存需求的快速攀升，NAND製造商有望迎來龐大收益，但同時也必須投入鉅資採購新型材料以應付大規模量產。這波技術升級帶動了鉬元素的市場需求急遽飆升。數據顯示，三星2025年採購了4噸的鉬，2026年迄今更已達10噸，而SK海力士預計也將消耗約4噸。整體市場對鉬元素的需求預期將呈爆發性成長，將從2027年將達到25噸，到2028年達40噸，2029年增至60噸，而到了2030年，更預估將達到驚人的80噸。
(首圖來源：SK 海力士提供)
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