DRAM 漲勢仍是 H2 主旋律，NAND 進入高原整理

記憶體市場下半年持續受惠 AI 需求帶動，不過 DRAM 與 Flash 漲價節奏仍分歧。其中，業界普遍認為，DRAM 供給缺口仍未改善，下半年合約價仍有雙位數漲幅，DDR4 第三季漲勢看仍可超過三成；反觀 NAND Flash 雖然需求持續，但價格漲幅已逐步進入高原期，第三季預估約一成多，短期追漲力道不若 DRAM。台股相關業者包括南亞科、華邦電、旺宏、群聯，以及威剛、創見、宇瞻、十銓、宜鼎等。

市場原先預期第三季DRAM合約價約季增13%至18%，但DDR4供需仍比預期吃緊，除企業與工控市場仍大量使用DDR4外，因DDR5價格仍偏高，對不少中低階PC或成本敏感的應用而言，DDR4仍是性價比更高的選擇，Consumer DDR4平台的生命週期會比市場原先預期更長。而CSP業者也為確保供貨，願意接受更高價格，並有洽談1至2s年鎖定供貨量的長約，推升DDR4第三季價格仍走揚。

至於Flash市場，產業人士表示，AI伺服器、企業級儲存及邊緣AI等新應用仍持續推升需求，整體基本面並未轉弱，成熟型Flash包括SLC/MLC NAND及NOR Flash仍受惠供給缺口，價格維持上漲趨勢。不過，若觀察整體NAND市場，包含3D NAND、Client SSD及Enterprise SSD等產品，漲幅已較DRAM明顯收斂，有業者預期第三季平均漲幅約一成多，第四季也可能再放緩，價格可能逐漸進入高原整理階段。

業界指出，目前記憶體市場仍維持DRAM強於Flash的格局，主要原因在於HBM、DDR5及LPDDR5X等高階產品持續排擠成熟DRAM產能，使DDR4供給缺口短期仍難以補足；相較之下，Flash雖受AI新增需求支撐，供需結構相對健康，但供給彈性仍高於DRAM，因此價格走勢趨於平穩。

（本文由 MoneyDJ新聞授權轉載；首圖來源：Magnific）