三星半導體設備投資傳明年微幅加碼,擬加蓋 NAND 廠

作者 | 發布日期 2014 年 12 月 16 日 10:55 | 分類 Samsung , 晶片 , 財經 Telegram share ! follow us in feedly


韓國時報(Korea Times)15 日報導,三星電子明年將投資半導體設備 13.5 兆韓圜,或相當於 120 億美元,稍高於今年的 13 兆韓圜。

全球記憶體晶片市場目前由三星、SK 海力士與美光所把持,三大廠市佔率合計來到 93%。知情人士消息指出,三星並不打算大幅增加設備資本支出的主要考量是明年策略將放在維持價格穩定與市場供需平衡。

據報導,三星看準儲存型快閃記憶體(NAND Flash)的市場需求有望增加,因此考慮明年在大陸西安開設新廠房。除此之外,有鑑於 DRAM 的需求平穩,三星也可能增加投資南韓國內的 17 線廠。

在邏輯晶片方面,報導還指出,三星的 14 奈米 FinFET 製程技術已贏得蘋果下一代 A9 處理器大部分訂單,並且將台積電打入第二線供應商。南韓《電子時報 (ETNews)》12 日引述業界消息也作出同樣的報導。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載)