美光宣布 3D NAND 快閃記憶體年底前大量投產 |
作者
Atkinson |
發布日期
2016 年 12 月 16 日 9:00 |
分類
Samsung
, 晶片
, 會員專區
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本周宣佈正式合併台塑旗下記憶體廠華亞科的美商記憶體大廠美光 （Micron） 在 15 日表示，由於該公司的 3D NAND 快閃記憶體產能日前正式超過 2D NAND 快閃記憶體。其中，包括第 1 代 3D NAND 快閃記憶體的成本也符合預期，堆疊層數達到 64 層的第 2 代 3D NAND 快閃記憶體也在已經準備完成，預計將在 2016 年底要正式大規模量產。
