中國三大記憶體陣營預計下半年試產,2019 年為中國記憶體生產元年

作者 | 發布日期 2018 年 04 月 19 日 13:30 | 分類 國際貿易 , 記憶體 , 財經 follow us in feedly


全球記憶體市場需求持續不減,國際大廠紛紛投入擴產行動。包括龍頭三星在 NAND Flash 方面,宣布中國西安開始第 2 期的建設工程,DRAM 上也有意在南韓平澤(Pyeongtaek)廠大幅生產。而另一家南韓大廠 SK 海力士,除了生產 NAND Flash 的 M15 廠預期在 2019 年正式營運之外,在 DRAM 部分也斥資 86 億美元,將在中國無錫興建第 2 期廠房。

另外,專注在 NAND Flash 產品的東芝,除了 Fab 6 廠即將在 2019 年營運外,還斥資 70 億美元用於興建 Fab7 廠,完成後將用於 96 層堆疊的 3D NAND Flash 生產。美光部分,日前除宣布將在新加坡設立 NAND Flash 的第 3 座工廠之外,在 DRAM 產品方面,雖然無新擴建產能的計畫,但是預計將在台灣以提高生產效率來拉高位元成長率的方式,提升產能。因此,面對各家國際記憶體大廠的來勢洶洶,中國的記憶體廠投資也開始急起直追,預計也將在 2019 年加入全球擴產戰局。

根據 TrendForce 記憶體儲存研究 (DRAMeXchange) 指出,中國記憶體產業目前以投入 NAND Flash 市場的長江存儲、專注於行動式記憶體的合肥長鑫,以及致力於利基型記憶體晉華集成 3 大陣營為主。以目前 3 家廠商的進度來看,其試產時間預計將在 2018 年下半年,隨著 3 大陣營的量產的時間可能皆落在 2019 年上半年,揭示著 2019 年將成為中國記憶體生產元年。

DRAMeXchange 表示,從 3 大廠目前布局進度來看,合肥長鑫的廠房已於 2017 年 6 月封頂完工,並且於第 3 季開始移入測試用機台。合肥長鑫目前進度與晉華集成大致雷同,試產時程將會落於 2018 年第 3 季,量產則暫定在 2019 年的上半年,時程較預期落後。此外,由於合肥長鑫直攻三大 DRAM 廠最重要產品之一的 LPDDR4 8Gb,爾後面臨專利爭議的可能性也較高,為了避免此一狀況,除了積極累積的專利權外,初期可能將鎖定於中國銷售。

反觀,專注於利基型記憶的晉華集成,在 2016 年 7 月宣布於福建省晉江市建 12 吋廠,投資金額約 53 億美元,以目前進度來看,其利基型記憶體的試產延後至 2018 年第 3 季度,量產時程也將落在 2019 年上半年。

此外,從中國廠商 NAND Flash 的發展進程來看,2016 年 12 月底,由長江存儲主導的國家記憶體基地正式動土,官方預期分 3 階段,共建立 3 座 3D-NAND Flash 廠房。第一階段廠房已於 2017 年 9 月完成興建,預定 2018 年第 3 季開始移入機台,並於第 4 季進行試產,初期投片不超過1萬片,用於生產 32 層 3D-NAND Flash 產品,並預計於自家 64 層技術成熟後,再視情況擬定第 2、3期生產計畫。

DRAMeXchange 指出,觀察中國記憶體廠商的研發與產出計畫,2019 年將是中國記憶體產業的生產元年。但也由於 2 家 DRAM 廠預估初期量產規模並不大,短期難撼動全球市場現有格局。無論是 DRAM 或是 NAND Flash 產品,各家都是初試啼聲,相較於耕耘多年的既有記憶體大廠所面臨的挑戰更多,因此亦不排除量產時間點也可能比原先預期延後。

長期來看,隨著中國記憶體產品逐步成熟,預計2020 年到 2021 年,2 家 DRAM 廠商現有工廠將逐步滿載,在最樂觀的預估下,屆時 2 家廠商合計約有每月 25 萬片的投片規模,可能將開始影響全球 DRAM 市場的供給。另一方面,長江存儲計畫設有的 3 座廠房總產能可能高達每月 30 萬片,不排除長江存儲完成 64 層產品開發後,可能將進行大規模的投片,進而在未來 3 到 5 年對 NAND Flash 的供給產生重大影響。

(首圖來源:shutterstock)