三星宣布量產 90 層堆疊的第 5 代 V-NAND 快閃記憶體 作者 Atkinson | 發布日期 2018 年 07 月 11 日 10:30 | 分類 Samsung , 會員專區 , 記憶體 | edit 全球記憶體龍頭廠三星 10 日宣布,正式量產堆疊數高達 90 層的第 5 代 V-NAND 快閃記憶體。此產品不但堆疊數為目前最高,且還首發 Toggle DDR 4.0 傳輸介面,使傳輸速率達到 1.4Gbps。 從這裡可透過《Google 新聞》追蹤 TechNews 科技新知,時時更新 科技新報粉絲團 加入好友 訂閱免費電子報 關鍵字: 3D Nand Flsah , V-NAND , 伺服器 , 半導體 , 行動裝置 , 記憶體 , 高效能運算