為迎接因 5G 手機的帶動之下，接下來記憶體產業的復甦，滿足市場上的需求，南韓記憶體大廠 SK 海力士 (SK Hynix) 準備發售兩款新的固態硬碟 (SSD)，型號分別為 Gold P31 及 Platinum P31，預計都採用 PCIe 形態，而且都將支援 NVMe。更重要的是，這兩款 SSD 都將採用 SK 海力士之前宣布量產的最新的 128 層堆疊 4D TLC NAND Flash，單顆晶片容量最高可達到 1Tb，整合超過 3,600 億個儲存單元。
根據外電報導，SK 海力士早就在 2019 年 6 月份就宣布，正式量產 128 層堆疊的 4D NAND Flash，成為全球首家量產 128 層 NAND Flash 的記憶體廠商。不過，SK 海力士的這個 4D NAND Flash 基本上其實也是 3D NAND Flash 架構，只是把過去 3D NAND Flash Cell 單元的 PUC（Peri Under Cell）電路，從之前的位置遷移到底部，所以稱之為 4D NAND Flash。
因此，其實所謂 4D NAND Flash，也就是 SK 海力士為了宣傳起的新名字，本質上還是 3D NAND Flash，只不過單晶片採用 4 層架構設計，結合了 3D CTF (電荷捕獲快閃記憶體) 設計、 PUC (Peri. Under Cell) 技術，PUC 是指製造 NAND Flash 時先形成週邊區域再堆疊晶體，有助於縮小晶片面積。所以，取名 4D NAND Flash 似乎只是為了比較好行銷。
報導表示，SK 海力士宣布，公司於上個月開始正式向客戶交貨的 128 層堆疊 4D NAND Flash 的工程樣品，全部都是 TB 容量等級的高密度解決方案，包括手機所用的 1TB UFS 3.1 4D NAND Flash，消費等級的 2TB SSD、以及企業級的 16TB E1.L 規格 SSD。SK 海力士指出，其新推出的 128 層堆疊 4D NAND Flash 的單顆容量為 1TB 大小。所以，未來可以做到很大的容量，是業界儲存密度最高的 TLC NAND Flash。
報導進一步指出，現在 1TB 儲存空間的手機，通常需要使用兩顆 512GB 的 UFS NAND Flash，在 SK 海力士的 1TB UFS 3.1 4D NAND Flash 正式出貨後，手機使用 NAND Flash 的數量就會減少一半，節省更多的手機主機板空間，再加上 SK 海力士這顆 1TB 的 4D NAND Flash 封裝厚度僅 1mm，是未來超薄 5G 手機的絕佳選擇。預計搭配這款 4D NAND Flash 的手機有望在 2020 年下半年量產，而搭載 128 層堆疊 4D NAND Flash 的 2TB 消費級 SSD，以及 16TB 的 E1.L 規格的企業級 SSD 也預計會在 2020 年下半年量產。
(首圖來源:SK 海力士官網)
