追趕台積電，三星砸逾 30 億美元與 ASML 簽訂 20 台 EUV 採購合約

根據南韓媒體報導，相關產業人士指出，南韓三星電子已經在 2020 年的 1 月 15 日與半導體設備大廠艾司摩爾（ASML）正式簽約，以 33.8 億美元（約新台幣 1,027.86 億元）採購約 20 台極紫外光（EUV）微影設備，超越 2019 年 10 月三星預計的 15 台 EUV 採購量，顯示三星期望增加投資半導體設備，追趕與晶圓代工龍頭台積電的差距。

報導指出，ASML 預計這些 EUV 設備將在兩年內交貨，三星將用於晶圓代工與下一代 DRAM 生產。三星電子最快在 2020 年底首度採用 EUV 設備生產 DRAM。

為了超越晶圓代工龍頭台積電，三星期望透過擴大投資半導體設備，提供技術競爭力來吸引客戶。之前也有消息指出，三星目前透過價格優勢爭取客戶青睞。三星目前爭取到包括高通、輝達、IBM 和 Sony 下訂單，但台積電全數吃下蘋果 iPhone A 系列處理器及華為海思麒麟處理器訂單，至於處理器大廠 AMD 目前 7 奈米產品，也是全交由台積電協助生產，使三星全球晶圓代工市占率遠遠不及台積電。

之前三星宣布，計劃到 2030 將投資 133 萬億韓圜提升非記憶體的系統半導體業務。根據計畫，總計 133 兆韓圜的投資中，有 73 兆韓圜是用於技術研發，60 兆韓圜建設晶圓廠等設備，預計創造 1.5 萬個就業機會，使三星能在 2030 年時不僅保持記憶體領先，還要在系統半導體領域稱王。

而除了在晶圓代工領域，三星還預計將新購的 EUV 設備用在新一代的 DRAM 生產線上。根據報導，三星電子有望從 2020 年底或 2021 年年初開始使用 EUV 設備來生產第 3 代 10 奈米級（1z）DRAM，甚至會開始用於研發第 4 代 10 奈米級（1a）DRAM，導入 EUV 設備後，預計極大化的提高三星的生產率，擴大與競爭對手 SK 海力士（SK Hynix）和美商美光（Micron Technology）等的差距。相對三星即將導入 EUV 設備生產，目前兩家競爭對手都暫時不打算導入 EUV 設備。

根據市場調查與研究單位 TrendForce 的資料指出，三星電子在 2019 年第 4 季以 46.1% 市占率位居全球 DRAM 龍頭，其次是 SK 海力士 28%，美光則以 19.9% 排名第三。美光科技曾經表示，預計導入 EUV 設備的時間，將是用在未來 10 奈米級（1β）之後的 DRAM 生產。SK 海力士也指出，預計將 EUV 設備 2021 年導入第 4 代 10 奈米級（1a）生產。