2021 年準備迎接記憶體成長週期,各廠商摩拳擦掌

作者 | 發布日期 2020 年 12 月 22 日 16:20 | 分類 記憶體 , 財經 , 零組件 Telegram share ! follow us in feedly


根據外媒報導,隨著 2021 年全球三大記憶體廠陸續將大規模量產下一代 DDR5 DRAM 的情況下,預計記憶體市場將迎接下一個成長週期,這使得三星、SK 海力士、美光等三大記憶體公司正在加緊技術開發,以面對市場競爭而搶攻市占率。

根據南韓媒體《BusinessKorea》報導,全球記憶體產業龍頭的南韓三星電子計劃在 2021 下半年正式推出 DDR5 DRAM。相較於當前產品 DDR4 的規格,DDR5 DRAM 的傳輸速率可高達 6,400 Mbps,是 DDR4 DRAM 的 3,200 Mbps 的 2 倍。另外,DDR5 的工作電壓為 1.1V,比 DDR4 的 1.2V 降低 9%。DDR5 最大容量為 64 Gb,是 DDR4 產品 4 倍。因為性能突出,使 DDR5 產品即便稍高於 DDR4,但因為世代交易的市場需求下,仍有空間為記憶體廠帶來獲利,這也是預期全球記憶體產業將迎接新成長週期的主因。

報導強調,根據市場研究及調查單位 TrendForce 預測,DDR5 在 PC DRAM 市場中的市占率,將從 2020 年的不到 1%,成長到 2021 年 10%,足足是 10 倍以上的成長。甚至, DDR5 產品在伺服器的 DRAM 市場中,市佔率也將從 2020 年的 4% 提升到 2021 年 15%。市場成長快速情況下,全球三大記憶體廠都開始準備搶攻商機。南韓 SK 海力士已在 10 月 6 日首次發表 DDR5 DRAM,競爭對手三星則預計 2021 年開始量產第 4 代 10 奈米級 DDR5 和 LPDDR5。美商記憶體大廠美光今年初宣布,已開始向客戶出樣最新 DDR5 記憶體,以第 3 代 10 奈米級 1z 奈米製程打造,性能提升 85%。

除了 DDR5 的 DRAM 競爭,記憶體廠商也在 NAND Flash 快閃記憶體發展角力。美光於 11 月宣布,已開始量產全球首批 176 層堆疊 NAND Flash 快閃記憶體。美光指出,新 176 層堆疊 NAND Flash 快閃記憶體讀寫方面性能提高 35% 以上,且與同類最佳競爭對手相較,尺寸更減少 30%。繼美光之後,SK 海力士也在 12 月 7 日宣布完成 176 層堆疊 NAND Flash 快閃記憶體開發。SK 海力士強調,新產品生產率提高 35% 以上,176 層堆疊的 NAND Flash 快閃記憶體將能增加市場價格競爭力。三星方面則計畫 2021 年發表第 7 代 V-NAND 快閃記憶體。理論上,第 7 代 V-NAND 快閃記憶體最多可達 256 層堆疊能力。

報導進一步指出,受惠於 2020 年 10 月,自處理器大廠英特爾收購 NAND Flash 快閃記憶體業務,使 SK 海力士全球 NAND Flash 快閃記憶體市場市占率擴大至 23% 上下。TrendForce 表示,截至 2020 年第 3 季,三星電子以 31.4% 市占率在全球 NAND Flash 快閃記憶體市場中排名第一,鎧俠則以 17.2% 位居第 2,威騰電子的市佔率則為 15.5%,位居第 3,英特爾及 SK 海力士則各以 11.5% 的市占共同排名第 4。

報導進一步強調,業界預期,NAND Flash 快閃記憶體市場的成長將比 DRAM 市場更快,原因在於智慧型手機向 5G 發展,以及資料中心的伺服器對 SSD 的需求所造成,這使得 NAND Flash 快閃記憶體市場到 2024 前將以每年 30% 到 35% 的速度增長,相較於而 DRAM 的年平均成長率為 15%~20% 而言,NAND Flash 快閃記憶體市場的成長速度快很多,也使得炒商更注重 NAND Flash 快閃記憶體市場發展。

(首圖來源:三星)