車用加持,SiC 功率半導體需求衝,2030 年估跳增 2.8 倍

作者 | 發布日期 2021 年 06 月 11 日 17:05 | 分類 晶片 , 材料、設備 , 汽車科技 Telegram share ! follow us in feedly


車用需求加持下,碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)等次世代功率半導體需求衝,預估將以每年約 20% 的速度呈現增長,其中 2030 年 SiC 產品市場規模預估將跳增 2.8 倍、GaN 將飆增 6.5 倍。

日本市調機構富士經濟(Fuji Keizai)10日公布調查報告指出,因汽車/電子設備、產業用需求大幅萎縮,拖累2020年全球功率半導體市場規模年減3.8%至2兆8,043億日圓,矽(Si)製產品規模萎縮4.0%至2兆7,529億日圓,SiC等次世代產品市場成長9.6%至514億日圓。

次世代產品中,2020年SiC功率半導體市場規模年增9.6%至493億日圓,GaN功率半導體成長15.8%至22億日圓、氧化鎵功率半導體市場則僅有「一點點」。

富士經濟指出,2020年功率半導體市場雖陷入萎縮,不過自2021年以後,因車輛電子化、5G通訊相關投資增加,加上產業領域需求回復,因此預估市場將轉趨擴大,預估2030年市場規模將達4兆471億日圓,較2020年成長44.3%,矽製產品市場規模預估為3兆7,981億日圓,較2020年成長38.0%。

富士經濟表示,自2021年以後,在汽車/電子設備需求加持下,預估次世代功率半導體市場將以每年近20%的速度呈現增長,2030年市場規模預估為2,490億日圓、將較2020年跳增3.8倍(成長約380%)。

因汽車/電子設備需求加持,中國、北美、歐洲需求揚升,預估2030年SiC功率半導體市場規模將擴大至1,859億日圓,較2020年跳增2.8倍;GaN功率半導體市場規模預估將擴大至166億日圓,較2020年飆增6.5倍;氧化鎵功率半導體市場規模預估為465億日圓。

功率半導體除了是電動車(EV)關鍵零件,也正擴大應用於工業機器人、離岸風力發電設備等用途,是減碳不可或缺的產品之一。

目前日系廠商在功率半導體市場上擁有一定的存在感,三菱電機、富士電機、東芝等三家廠商合計握有全球二成市占。

日經新聞1月15日報導,Rohm計劃在今後5年內投資600億日圓,使用於EV的SiC功率半導體產能擴增至現行5倍;富士電機將投資約1,200億日圓擴增日本國內外工廠產能,增產功率半導體;東芝計畫2023年度結束前投資約800億日圓、將功率半導體產能提高三成。

報導指出,Rohm SiC功率半導體研發居領先,全球SiC功率半導體市場握有二成市占率,和英飛凌(Infineon)、STMicroelectronics並列為全球主要供應商之一,產能擴增至5倍後、全球市占率有望提高至三成。Rohm生產的半導體材料也以經由汽車零件廠的形式,用於特斯拉(Tesla)的EV逆變器(inverter)。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:Flickr/Open Grid Scheduler / Grid Engine CC BY 2.0)