半導體產業競爭加劇,三星 2022 年準備擴大投資南韓平澤 P3 工廠

作者 | 發布日期 2021 年 10 月 06 日 14:30 | 分類 Samsung , 公司治理 , 晶圓 Telegram share ! follow us in feedly


南韓媒體《BusinessKorea》報導,半導體大廠三星正加緊準備 2022 年開始的平澤新半導體工廠大規模投資。三星大規模投資的目的,除了在記憶體逢大週期時擴大與競爭對手的差距,晶圓代工也要追上台積電。

三星計劃先在建設中平澤 3 號工廠 (P3) 建立 NAND Flash 快閃記憶體生產線,然後再建立 DRAM 生產線和 3 奈米製程代工產線。三星正與國內外材料、零組件、設備合作夥伴洽談,P3 工廠擴建後,三星將增設一條第七代 176 層堆疊 NAND Flash 快閃記憶體生產線,每月生產 40K~50K 的 12 吋晶圓,並 2022 年 4 月左右開始引進設備。

市場分析師表示,先安裝 NAND Flash 快閃記憶體生產線的原因,是為了擴大與追隨者的技術差距,因為 NAND Flash 快閃記憶體市場競爭加劇,據市場人士說法,中國努力發展半導體產業,威騰電子可能收購日本記憶體大廠鎧俠,美光科技也量產 176 層堆疊 NAND Flash,市場競爭逐漸升溫。

關於 P3 工廠加碼投資,三星還訂定 2022 下半年建設 DRAM 和 3 奈米代工產線計劃。市場人士預計,因應 DDR5 規格的 DRAM 時代到來,三星將打造 14 奈米製程 EUV DRAM 生產線。三星建立 3 奈米製程代工產線方面,未來每月可量產 10K~20K 的 12 吋晶圓。

三星電子預計 2022 年將在華城和 P3 工廠所在的平澤工廠導入先進生產技術。據三星計劃,投資 DRAM 和晶圓代工產線後,南韓半導體產能將增加至每月 150K 晶圓,相當於三星 DRAM 廠華城 17 工廠產能。

(首圖來源:三星)