ASML 登上全球半導體曝光設備龍頭,兩個轉捩點都與台積電有關

作者 | 發布日期 2021 年 11 月 18 日 12:10 | 分類 公司治理 , 晶圓 , 晶片 Telegram share ! follow us in feedly


外媒報導,半導體製程一家獨大的極紫外光曝光設備 (EUV) 廠商艾司摩爾 (ASML),幾乎成為各半導體製造商發展不可或缺的夥伴,尤其 10 奈米以下先進製程,沒有 EUV 協助幾乎不能做。ASML 如何爬上龍頭之位,有兩個關鍵轉捩點。

20 年前 ASML 只是名不見經傳的小企業,和日本 Nikon、Canon 相較只能算小型公司。讓 ASML 一舉成為國際大公司,並甩開與競爭對手的差距,兩個轉捩點至關重要,之一發生在 2004 年。

2004 年全球半導體業界的曝光設備光源都是 193 奈米,且是乾刻法。要往新一代製程發展時,須提升光源到 157 奈米,才能提高精準度。但相對研發困難度也會增加。台積電表示,光源還可以繼續用 193 奈米,但換個介質試試,不再以空氣當介質。於是 ASML 嘗試以水為介質,光源通過水會產生折射,使 193 奈米光源實際效果可能比 157 奈米好。

對台積電的建議,Nikon、Canon 都覺得不實際,不如直接研究 157 奈米光源的曝光設備。小企業的 ASML 覺得自己規模沒有競爭對手大,不如跟台積電一起嘗試,成功當然很好,失敗了也沒太大損失。這次嘗試讓 ASML 真的開發出新產品,水介質的浸潤式曝光設備也一舉爆紅。新設備除了成功把半導體生產精準度更提高,且成本低、研發速度快,ASML 短短 5 年就拿下全球過半市場,Nikon、Canon 想跟進時已來不及。

第二次 ASML 大幅成長的機會則是 2015 年,水介質浸潤式曝光設備發展到極限,接下來研究方向以波長 13.5 奈米的極紫外光 EUV 曝光設備為主。這時英特爾領頭,成立組織 EUV LLC,以研究 EUV 曝光設備為目標。加入 EUV LLC 的 ASML 覺得,一旦研發出先進 EUV 曝光設備,可能會被美國提防,於是決定讓出公司股份,讓英特爾、台積電、三星等半導體製造大廠成為股東。

證實 ASML 決定不僅消除美國顧慮,還贏得盟友,還因合作得到許多技術支援,順利推出 EUV 曝光設備,還不愁沒有地方賣,每家半導體製造商都搶著要。這關鍵一腳使 ASML EUV 曝光設備一家獨大,完全壟斷市場。

(首圖來源:ASML)