愛普 2021 年每股賺 13.67 元!擬配發股利 6 元、殖利率 1.5%

作者 | 發布日期 2022 年 03 月 01 日 17:14 | 分類 記憶體 , 證券 , 財經 Telegram share ! follow us in feedly


愛普今日舉辦法說會,董事長陳文良表示,去年第 4 季受邏輯晶圓短缺的影響,較第 3 季度略顯衰退,其中 IoT 事業部的 IoT RAM 在連接與穿戴應用上的出貨數量受到影響,AI 事業部雖在授權與設計收入維持前季水準,但晶圓堆疊晶圓(WoW)的出貨量仍受到長短料缺貨的衝擊。

愛普去年第 4 季營收 17.38 億元,年增 72%,毛利率 46%,第 4 季毛利率仍維持在前三季水準;累積 2021 全年營收 66.17 億元,年增 86%,毛利率 46%,稅後淨利 20.25 億元,每股純益 13.67元,若換算與去年同期相同股票面額則每股純益為 27.34 元,年增 147%。

愛普會中宣布 2021 年股利分配案,每股擬派發現金股利 6 元,若換算與去年同期相同的股票面額,相當於派發現金股利 12 元,大幅優於前年的現金股利 5 元,若以今日收盤價 392 元計算,現金殖利率為 1.5%。

陳文良表示,預期在邏輯晶圓短缺問題緩解後,今年整體營運仍將維持成長的態勢,IoT RAM 在應用面持續擴展下,仍將持續成長,同時憑藉技術及客製化優勢,維持高毛利區間水準,並由於客戶依存度高,能在客戶有變更設計需求時,第一時間提供解決方案,所以能維持市占率的領先地位。

陳文良指出,愛普即將跨足到矽電容器(Silicon Capacitor,IPD)的新領域,因為電容是電路不可缺少的零件之一,傳統的結構是將電容裝在電路板上,而矽電容就是用 IC 技術在矽晶圓上做的電容。

陳文良說明,愛普借用 DRAM 堆疊(stack capacitor)技術以取代傳統深槽刻蝕(Deep trench)作法來研發設計矽電容器,用堆疊技術做的矽電容相比於傳統電容更薄,密度更高,愛普已耕耘這個技術上多年,預期將在今年下半年可開始營收貢獻;長線來看,IoT 事業群的營運向上趨勢不變。

陳文良補充,AI 事業部則持續著重於 3D IC 記憶體 IP 授權和晶圓銷售,相關技術正逐步進入主流應用,目前 3D IC 是整個半導體行業的趨勢,愛普的 3D IC 解決方案能提供 HBM 應用 10 倍以上的頻寬優勢,愛普逐步從特殊市場,跨入包括網絡運算、CPU、AR/VR 的主流市場。

隨著全球高速運算(HPC)市場加速發展,AI 應用漸趨多元化,運算需求不斷提升,今年發展重點在將真 3D IC 堆疊的異質整合技術建置得更為完整,去年下半年開始正式出貨的 WoW,透過前段晶圓廠 Hybrid Bonding 技術來提升連接密度,WoW 相當適合需要高速運算效能的應用領域,如挖礦、網路連接等。

愛普投入開發 CoW uBump (Chip-On-Wafer microBump)技術,這個技術著重與後段的封測廠搭配開發,其連接密度雖較低於 WoW 應用,但是相對能提供主流應用在設計架構上有較大彈性,藉由 WoW 與 CoW 兩種技術,預期未來客戶需求將大幅湧現,現階段公司將持續投入資源打造完善可以量產的供應生態鏈,以提供客戶完整的供貨體系。

為了充實中長期營運資金,投入創新技術研發,愛普日前在盧森堡證交所掛牌上市,新發行海外存託憑證每單位表彰普通股 2 股,每單位 29.65 美元,每股價格折合新台幣 410 元,發行總股數 12,800,000 股參與發行海外存託憑證,計 6,400,000 單位海外存託憑證,海外募得總金額約為 1.9 億美元。

(首圖來源:愛普)

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