彭博社報導，台積電和三星敦促美國允許外國公司參與 520 億美元的半導體計畫，計畫重點是促進美國本土晶片生產。拜登政府已將擴大國內製造能力視為優先事項，確保半導體供應穩定。
然而英特爾一度暗示，美國納稅人的錢應只流向國內公司，儘管執行長 Pat Gelsinger 最近談話避免重複這點，但台積電、三星也擔心出現補助不公的狀況。
台積電回覆美國商務部請求協助晶片業的資助時表示，「基於企業總部所在地而任意偏袒和優惠待遇，並非有效利用撥款，反而忽略大多數領先半導體公司的公有化現實。」
台積電認為，美國不應試圖複製現有供應鏈，應專注開發先進技術，以提高競爭力，同時呼籲美國修改移民政策，以便美國吸引外國人才，推動創新。
三星也贊成台積電這番評論，強調美國政府應確保所有符合條件的公司，無論原籍國為何，都能在公平競爭環境爭取美國資金。
針對台積電、三星爭取美國補助，知名半導體產業評論家陸行之指出，這次事件台積電和三星主要考慮如果拿不到合理補助，是否暫緩亞利桑那州高成本投資，免得變成競爭者的職業訓練所。
陸行之也分析台積電回應。首先，台積電說美國政府補助半導體公司，不應以總部設立地點看待，也應考慮誰持有公司，台積電目前外資持有近 80%，美國資金應超過 50%；再者，台積電看起來要將一堆在台員工請到美國幫忙開疆闢地，但美國移民法似乎不太友善。
最後一點，台積電建議美國發展半導體應集中先進技術研發，而不是弄個市場複製已有製程跟產能。但陸行之認為這部分有點廢話，因新入競爭者好像都得搞複製，再來弄創新，全球只有少數科技公司一開始就搞破壞式創新，缺乏執行力，失敗率就高。
目前台積電在亞利桑那州建造一座 120 億美元的工廠，預計 2024 年量產 5 奈米晶片；三星正在德州建造一座 170 億美元的工廠，目標兩年後大規模生產。
同時英特爾宣布在俄亥俄州新建一座 200 億美元的晶片中心，並在亞利桑那州建兩座新廠，以提高國內產能。
不過眾議院、參議院仍需協商如何合併不同版本法案，包括半導體產業 520 億美元補助。無論如何，最後方案不太可能 5 月底前確定。
（首圖來源：台積電）
