三星南韓平澤 P3 晶圓廠 5 月裝機，大量使用 EUV 生產

南韓媒體《The ELEC》報導，三星 2020 年開始在平澤市興建 P3 晶圓廠，5 月開始安裝設備持續到 7 月，較計畫時程提早一個月，下半年將建設完成。

三星平澤市 P3 晶圓廠占地 70 萬平方公尺，將成為全球最大晶圓廠廠區，是三星 P2 晶圓廠 1.7 倍。投資也相當龐大，幾年內最少投資 30 兆韓圜，最多 50 兆韓圜，相當於 240 億至 400 億美元。

三星平澤市 P3 晶圓廠為既生產記憶體又有邏輯晶片代工。最新生產將是 NAND Flash 快閃記憶體，之後是 DRAM，最後上線是 3 奈米製程晶圓製造與代工產線。平澤 P3 晶圓廠先生產 NAND Flash 快閃記憶體，5 月第一週設備安裝將從 NAND Flash 快閃記憶體設備開始。

平澤晶圓廠將大量採用極紫外曝光設備 (EUV) 生產，NAND Flash 快閃記憶體產線使用 EUV 生產第七代 176 層堆疊 V-NAND 快閃記憶體，晶圓代工生產 3 奈米產線也需要 EUV 幫助生產。

(首圖來源：三星)