三星南韓平澤 P3 晶圓廠 5 月裝機,大量使用 EUV 生產

作者 | 發布日期 2022 年 04 月 25 日 13:50 | 分類 Samsung , 晶圓 , 晶片 Telegram share ! follow us in feedly


南韓媒體《The ELEC》報導,三星 2020 年開始在平澤市興建 P3 晶圓廠,5 月開始安裝設備持續到 7 月,較計畫時程提早一個月,下半年將建設完成。

三星平澤市 P3 晶圓廠占地 70 萬平方公尺,將成為全球最大晶圓廠廠區,是三星 P2 晶圓廠 1.7 倍。投資也相當龐大,幾年內最少投資 30 兆韓圜,最多 50 兆韓圜,相當於 240 億至 400 億美元。

三星平澤市 P3 晶圓廠為既生產記憶體又有邏輯晶片代工。最新生產將是 NAND Flash 快閃記憶體,之後是 DRAM,最後上線是 3 奈米製程晶圓製造與代工產線。平澤 P3 晶圓廠先生產 NAND Flash 快閃記憶體,5 月第一週設備安裝將從 NAND Flash 快閃記憶體設備開始。

平澤晶圓廠將大量採用極紫外曝光設備 (EUV) 生產,NAND Flash 快閃記憶體產線使用 EUV 生產第七代 176 層堆疊 V-NAND 快閃記憶體,晶圓代工生產 3 奈米產線也需要 EUV 幫助生產。

(首圖來源:三星)