中國半導體產業最大衝擊！美國祭四大禁令管制 EDA 出口

美國商務部工業與安全局（BIS）12 日發最新聲明，為確保美國國家安全，8 月 15 日起祭出四大出口管制措施，包含可承受高溫電壓的第四代半導體材料氧化鎵（Ga2O3）和金剛石，以及開發驗證 3 奈米以下 GAAFET 架構的電子設計自動化軟體（Electronics Design Automation，EDA），還有火箭、高超音速系統的增壓燃燒技術（Pressure-gain combustion，PGC）。

美國商務部工業與安全局副局長艾茲特維茲（Alan Estevez）指出，半導體技術發展越快、越高效及越耐用，甚至可在惡劣環境下運作，可能會改變商業和軍事領域的「遊戲規則」，因此當美國意識到風險，與國際合作夥伴一起行動，確保實現共同安全目標。

四大禁令是以美國為首的 42 國，2021 年 12 月會議達成管制先進技術的共識之一，只是美國出口管制涵蓋比國際協議更廣，包括半導體生產額外設備、軟體和技術。

第四代半導體材料氧化鎵和金剛石，可讓半導體在更惡劣的條件運作，如更高電壓或溫度，並讓使用相關材料的設備更具備軍事潛力，PGC 技術則在陸地和航太應用有潛力，包括火箭和高超音速系統。

EDA 是電子設計自動化軟體，設計、分析、最佳化和驗證 IC 性能，為開發驗證 3 奈米以下 GAAFET 架構的關鍵，可打造更快、更高效、更耐用的 IC，用於軍事、航太等，包括國防與通訊衛星。

美中經濟與安全審查委員會 2021 年 6 月發現，防止敏感技術落入中國軍方的手段不夠，報告照 2018 年法律要求，強調制定新興和基礎技術清單等停滯，可能衝擊國家安全風險。

中國相關分析指出，儘管美國商務部工業與安全局沒有直指中國，但新思科技（Synopsys）、楷登電子（Cadence）和西門子（Siemens EDA）全球 EDA 市占達 77.7%，沒有 EDA 幾乎無法製造晶片，代表中國 3 奈米以下先進製程恐難突破，嚴重甚至會衝擊中國近 2 千家 IC 設計廠至少倒閉一半。