美光宣布 LPDDR5X 記憶體獲高通 Snapdragon 8 Gen 2 納參考設計

作者 | 發布日期 2022 年 11 月 21 日 16:10 | 分類 Android 手機 , IC 設計 , 半導體 Telegram share ! follow us in feedly


記憶體大廠美光宣布,LPDDR5X 行動記憶體獲高通 Snapdragon 8 Gen 2 納入參考設計。Snapdragon 8 Gen 2 為高通針對旗艦級手機的最新行動平台,參考設計主要用途是供品牌業者展示晶片組設計智慧手機時各項優點,美光 LPDDR5X 亦整合至高通 Snapdragon 8 Gen 2 參考設計,成為主要架構一環,持續受市場青睞。同時此記憶體量產出貨,有助第一款內建 LPDDR5X 的手機達最高速度。

美光最新 LPDDR5X 專為高階及旗艦智慧手機打造,峰值傳輸率達 8.533Gbps,不僅比前一代產品 LPDDR5 提升 33%,也比去年秋天支援的 7.5Gbps 傳輸率更能滿足高頻寬、高數據量用途對高性能行動記憶體的需求。

美光資深副總裁暨行動事業部總經理 Raj Talluri 表示,如今智慧手機能實現 5G、AI 等技術,且能存取大量數據,超高速行動記憶體的功勞不容小覷,可說是手機創新的幕後英雄。美光最高速 LPPDR5X 已量產並全球舖貨,將帶動行動生態系研發新一代裝置及各類超乎想像的應用。

2021 年 11 月美光運用先面市的 1α(1-alpha)製程做出最快、最先進的行動記憶體 LPDDR5X 並送樣認證,繼推出業界第一款 LPDDR5、1α 製程 LPDDR4X、176 層 NAND 行動 UFS 3.1 和 uMCP5 解決方案之後又下一城。美光將持續推動市場加速採用 LPDDR5X,鞏固自身產品創新能力及行動生態系領導地位。

高通技術公司產品管理副總裁 Ziad Asghar 指出,想達 Snapdragon 8 Gen 2 標榜的光速上網、動態體驗及劃時代效能,性能強悍的高速記憶體不可或缺。美光 LPDDR5X 記憶體可達 8.5Gbps,前所未有超高速率及能源效率,剛好能滿足高通晶片組所需。

美光針對下一波智慧手機 5G 及 AI 體驗浪潮,打造行動記憶及儲存方案,滿足容量及運算能力需求同時,也兼顧尺寸限制、成本效益及能源效率,與全球智慧手機及晶片組業者深入合作,更有助美光將低功率高性能解決方案、廣博技術專業、致力創新精神帶入整個行動生態系,幫助達到更佳體驗。

(首圖來源:美光)