受惠高性能記憶體需求增加，SK 海力士第三季虧損持續減少

韓國記憶體大廠 SK 海力士發布截至 9 月 30 日的 2023 財年第三季財報，營收金額為 9.0662 兆韓圜，較第二季成長 24%，較 2022 年同期減少 17%。單季營業虧損為 1.7920 兆韓圜，較第二季成長 38%，較 2022 年同期由盈轉虧。淨虧損為 2.1847 兆韓圜，較第二季成長 27%，較 2022 年由盈轉虧，虧損情況較第二季持續縮小。2023 年第三季營業虧損率為 20%，淨虧損率為 24%。

SK 海力士表示，因高性能半導體記憶體產品為中心的市場需求增加，公司業績在第一季低點過後持續改善。其中，特別是針對 AI 的代表性記憶體 HBM3、高容量 DDR5 DRAM 和高性能行動 DRAM 等主力產品的銷售勢頭良好，與第二季相較，營收提升 24%，營業損失減少38%。

2023 年第一季由盈轉虧的 DRAM 僅兩季後轉虧為盈，有重要意義。營收增加趨勢，SK 海力士解釋，DRAM 和 NAND Flash 快閃記憶體整體銷量成長同時，DRAM 平均售價（ASP）上升也產生較大影響。

從產品來看，DRAM 受惠於 AI 等針對伺服器的高性能產品銷售好轉，與第二季相比出貨量成長了約 20%，與此同時 ASP 也上升約 10%。NAND Flash 快閃記憶體在高容量行動端產品和固態硬碟（SSD）出貨量有增加。預期轉虧為盈的 DRAM 首到生成型 AI 熱潮影響，市況有望持續好轉。連續虧損的 NAND 也隨著市況好轉跡象呈現，公司將竭盡全力保持整體業績的改善趨勢。

SK 海力士強調下半年各記憶體供應商的減產效果明顯，庫存減少客戶正在採購記憶體，產品價格也進入穩定趨勢。順應趨勢，SK海力士決定增加 HBM、DDR5、LPDDR5 DRAM 等高附加值主力產品投資，將進行以第四代 10 奈米級 (1a) 和第五代 10 奈米級 (1b) DRAM 為中心的生產線轉換，同時擴大投資 HBM TSV 技術。

SK 海力士財務長金祐賢表示，引領高性能記憶體市場，定位成為未來 AI 基礎設施的核心公司。今後透過 HBM、DDR5 DRAM 等 SK 海力士將佔據全球領先地位的產品，創造與以往不同的新市場，持續加強高性能、高階半導體記憶體第一大供應商地位。

(首圖來源：SK 海力士)