美國加州公告中國最大 3D NAND Flash（快閃記憶體）廠商長江存儲，11 月 9 日正向控告美國記憶晶片龍頭美光（Micron）及其全資子公司美光消費產品集團，侵犯長江存儲 8 項 3D NAND 美國專利，這代表著美中晶片戰的升級。
根據長江存儲的起訴書內容指出，美光使用長江存儲的專利技術，以抵禦來自長江存儲的競爭，並獲得市占率，訴訟是為終止美光廣泛且未經授權使用長江存儲專利創新，並解決美光試圖迫使長江存儲退出 3D NAND Flash 市場的問題。
這次提告的專利侵權，包括 US10,950,623（3D NAND 記憶體件及其形成方法）、US11,501,822（非易失性存儲裝置及控制方法）、US10,658,378（三維記憶體件的直通陣列接觸,TAC）、US10,937,806 （3D 記憶體件的直通陣列接觸,TAC）、US10,861,872（3D 記憶體件及其形成方法）、US11,468,957（NAND 記憶體操作的體系結構和方法）、US11,600,342（3D 維快閃記憶體的讀取方法）、US10,868,031（多層堆疊 3D 記憶體件及其製造方法）。
隨著近年 3D NAND 技術堆疊到 128 層或以上，周邊 CMOS 電路所占據的晶片面積或將達到 50% 以上，因此長江存儲在 2018 年推出自研的創新 Xtacking 技術，長江存儲的起訴書內容指出，美光的 96 層、128 層、176 層及 232 層 3D NAND 侵害長江存儲 8 項專利。
由於美國商業部自 2022 年 10 月開始，這一年來不斷擴大對中國晶片及設備的出口管制措施，並將長江存儲等 36 家企業列入「實體清單」，美中晶片戰早已正式開打，這次專利侵權可以說是中國繼 5 月以美光產品存有嚴重的網路安全問題全面禁售後的又一升級之戰。
（首圖來源：長江存儲）
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