中國長鑫存儲自研 LPDDR5 完成，與三星技術落差縮短到四年

就在日前中國 DRAM 廠長鑫儲存（CXMT）傳出已完成自主研發，並且開始量產 LPDDR5 DRAM 記憶體晶片的消息之後，引起韓國業界的震撼。因為一旦消息屬實，這一進展將使中國的 DRAM 技術僅落後韓國三星四年的時間。

根據韓國媒體 BusinessKorea 的報導，長鑫儲存日前在其網站上宣布，已研發出中國首款 LPDDR5 DRAM 記憶體晶片。該公司將推出一系列 LPDDR5 產品，包括 12GB LPDDR5、POP 封裝的 12GB LPDDR5 和 DSC 封裝的 6GB LPDDR5 等。其 LPDDR5 代表第五代低功耗 DRAM，與上一代 LPDDR4X 相比，新一代 LPDDR4X 的容量和速度提高了 50%，容量達到 12GB，資料傳輸速率達到 6,400Mbps，同時功耗降低了 30%。

長鑫存儲表示，計劃大幅提升產品整體效能，快速提升市場占有率。尤其，自家的 LPDDR5 產品已經在小米、傳音等中國主要手機廠商的機型上完成驗證，所以當前正在全力加速行銷工作。

事實上，韓國三星是在 2019 年 7 月率先在業界宣布量產 12GB LPDDR5 行動 DRAM。競爭對手美光則是於 2020 年 2 月開始供應 6GB、8GB 和 12GB 內存容量的 LPDDR5 DRAM。至於，SK 海力士則是在 2021 年 8 月宣布量產 18GB LPDDR5 行動 DRAM 產品。就這些時間點來分析，長鑫存儲與國際大廠間的技術落差大約在四年。

不過，在量產方面，長鑫存儲與三星等競爭對手仍有很大差距。根據市場研究及調查公司DRAMeXchange 的資料顯示，2023 年第二季全球 DRAM 市場成長 11.9%，達到 106.75 億美元。其中，三星、SK 海力士、美光三家廠商的市占率超過 95%。所以，長鑫存儲的產品目前對市場影響力微不足道。

長鑫存儲成立於 2016 年，以從事 DRAM 的設計、研發、生產和銷售為主。該公司在合肥和北京營運 12 吋晶圓廠。2022 年 10 月，美國已經將長鑫存儲列入出口管制清單。

(首圖來源：長鑫存儲)