美 Transphorm 狂飆，瑞薩溢價 35% 收購、取得 GaN 技術

日本半導體大廠瑞薩電子（Renesas Electronics）宣布將溢價 35% 收購美國氮化鎵（GaN）功率半導體廠商 Transphorm、藉此取得 GaN 技術，激勵 Transphorm 昨日（11 日）股價狂飆。

Transphorm 11日暴漲25.86%、收4.77美元，創近10個月來（2023年3月21日以來）收盤新高水準。

瑞薩11日發布新聞稿宣布，已和Transphorm簽訂契約，瑞薩將透過子公司收購Transphorm、目標以每股5.10美元的價格取得Transphorm已發行的所有普通股，收購總額約3.39億美元（約492億日圓）。瑞薩表示，以Transphorm 1月10日收盤價（3.79美元）來看、瑞薩開出的收購價溢價約35%。

瑞薩指出，藉由收購Transphorm、將可讓瑞薩取得使用於功率半導體的關鍵次世代材料「GaN」技術，將能讓瑞薩抓住電動車（EV）、數據中心、AI、再生能源等成長顯著的市場機會。

瑞薩表示，在獲得Transphorm股東以及相關監管當局許可後、預計在2024年下半年完成收購案。

日本市調機構富士經濟（Fuji Keizai）公布調查報告指出，因EV等車輛電動化需求、加上太陽能發電等再生能源普及，帶動2023年全球功率半導體市場規模（包含矽製產品和碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鎵等次世代功率半導體）預估將年增12.5%至3兆186億日圓，且之後市場規模將持續擴大，預估2035年將擴增至13兆4,302億日圓、將較2022年暴增4倍（飆增約400%）。

其中，2023年GaN功率半導體市場規模預估將年增32.6%至57億日圓，2035年預估將擴大至740億日圓、將較2022年暴增16.2倍。

（本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載；首圖為 Transphorm 執行長 Primit Parikh 博士和瑞薩電子執行長 Tidetoshi Shibata；來源：Transphorm）