記憶體大廠南亞科總經理李培瑛表示，DRAM 市場持續受到 AI 應用帶動 HBM 需求，加上 DDR4 轉換 DDR5，使得 2024 年的需求預期將逐步改善、價格呈現逐漸上漲的情況。不過，南亞科因為 DRAM 價格跌深的關係，雖然市場價格恢復上漲狀態，但南亞科要上半年由虧轉盈挑戰仍大。不過，公司仍以這個為目標，挑戰下半年能達成。
李培瑛在媒體新春茶敘上表示，過去兩年 DRAM 市場在經歷經歷疫情、地緣政治等因素的衝擊之後，自 2023 年第四季起已看到市場逐步復甦。整體市況來看，DRAM 市場持續受到 AI 應用帶動 HBM 需求，加上 DDR4 轉換 DDR5，2024 年預期需求將逐步改善、價格也有機會持續逐季上漲，尤其上半年上漲機會較大，下半年同樣有機會。不過，相關戰爭與貿易戰等因素，仍會影響市場狀況。
李培瑛坦言，DRAM 價格過去兩年從最高的 2.7 美元下跌至 1 美元，價格跌掉了 60%~70%。然而，價格要回復到以前水準，卻是要漲 170%，其實壓力很大，這使得南亞科要擺脫虧損，在 2024 年第二季達轉虧為盈的狀態有其難度。不過，整體逐月逐季改善將可預期。
當前，南亞科計劃將 1B 製程技術生產 8Gb DDR4 與 16Gb DDR5 產品，預計 2024 年進入生產階段，並將先前 1A 製程技術完全淘汰，這也將使得南亞科在 2024 年的位元輸出量增加。而且，1B 製程在 2024 年底前開始量產之後，月季產能將逐步提升。到 2025 年可達到每月 1.6 萬片到 2 萬片的規模。另外，3D 堆疊技術研發進行中，用於開發高密度 RDIMM 產品，目標伺服器市場。
李培瑛分析當前的市場供需狀況指出，供應商加速生產 HBM 及高密度 DDR5，有利產能去化及調整 DDR4 及 LPDDR4 庫存，預估 2024 年將恢復供需平衡，而且南亞科也將在第二積逐漸回到先前未減產時的產能水準。這使得南亞科 2024 年資本支出在因應新廠興建、1B 製程技術製程轉進等需求下，預計將不超過新台幣 260 億元為上限。其中，生產製造設備類預算約占一半。至於，先前傳出時間有所延後的南亞科新廠，李培瑛強調如期進行，預計 2026 年完工，量產狀況將依市場需求發展做最後的決定。
李培瑛最後也對政府可能回應 4 月調漲電價，的確會對營運造成影響，但電費佔南亞科營運成本不如設備攤提金額大，影響不如傳統產業嚴重，且 ESG 要求，南亞科能源也有許多新措施，因應電費調漲問題。
(首圖來源：科技新報攝)
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