為追上三星，SK 海力士年底量產 1c DRAM 記憶體

韓國記憶體大廠 SK 海力士加速第六代 10 奈米級 (1c) DRAM 記憶體量產，預定年底達成，縮小與 DRAM 市場領導者三星電子的差距。

韓國媒體 ETnews 報導，市場人士表示，SK 海力士第四季開發代號「Spica」第六代 (1c) DRAM 導入量產。另一市場人士強調，SK 海力士導入第六代 DRAM 量產時間是 11 月。SK 海力士之所以急於量產，是為了追上 DRAM 市占第一的三星。三星也計劃年底量產第六代 DRAM，SK 海力士若能年底量產，兩者時間就不分先後。

市場預估，三星與 SK 海力士新世代 DRAM 量產時程有六個月差距，都達 90% 良率，但有一年差距，故 SK 海力士努力追趕落差。即便 SK 海力士高頻寬記憶體 (HBM) 市場有領先優勢，但 HBM 未來需高性能 DRAM 支援，若減少與三星 DRAM 差距，對 SK 海力士 HBM 維持第一地位至關重要。

第六代 DRAM 量產進度清楚後，EUV 投資需求也緊接而來。第六代 DRAM 生產共六層曝光階段需用到 EUV，是前一代 (1b) DRAM 兩倍，更是第四代 (1a) DRAM 的六倍。截至 2023 年底，SK 海力士有五套 EUV，今年增加約八套。考慮到 2025 年第六代 DRAM 量產需求，加上現有 EUV 量，將增至約 20 套。

而對於媒體的相關報導，SK海力士回應表示，1c DRAM 產品正在順利開發，但由於開發尚未完成，公司對具體計劃無法評論。

(首圖來源：SK 海力士)