韓聯社報導，韓國記憶體大廠 SK 海力士（SK Hynix）一女性中國籍員工，4 月底涉嫌洩露降低晶片不良率的核心技術給中國華為被捕，韓國檢方已起訴，法院審理中。
韓國京畿道南部地方警察廳產業技術安全偵查隊說，現年 30 多歲中國籍女性員工因涉嫌違反韓國「防止產業技術洩露及保護法」，被捕後遭起訴，由韓國水原地方法院驪州分院審理。
此員工 2013 年進入 SK 海力士不良晶片分析部門。2020~2022 年任中國分公司組長。2022 年 6 月返回韓國後，立即辭職跳槽到華為，離職前雖無法使用隨身碟複製資料，改列印成三千多張 A4 紙晶片工序解決方案資料。因 SK 海力士留下列印文件紀錄故逮捕此女，洩漏資料方面 SK 海力士仍不清楚去向。嫌犯否認將文件分批轉移至外部，但事證確鑿，4 月嫌犯入境韓國時於機場當場逮捕。
近年韓國屢傳出核心技術外洩事件，對企業造成嚴重傷害，韓國國會推動修訂《產業技術保護法》，海外洩密犯罪罰款上限，從 15 億韓圜提高到 65 億韓圜。美國將竊取技術視為間諜行為，《經濟間諜法》和《防禦商業祕密法》均規定，經濟間諜罪最高可處 15 年監禁和 500 萬美元罰款。
修正案還加重技術洩露人員罰則，技術竊取懲罰性賠償上限從三倍提高到五倍，處罰對象從故意洩露技術者擴大到明知洩露技術者。韓國法律規定，即使故意洩露技術到海外，也需證明技術國外有使用，此次修訂內容涵蓋明知故犯。
韓國法院也提高竊取國家關鍵技術的量刑標準。韓國法律規定洩露關鍵國家技術處三年以上有期徒刑，洩露至外國處 15 年以下有期徒刑，量刑標準僅 1~3.5 年，明顯低於法定刑罰，外界詬病懲罰過輕。故韓國最高法院量刑委員會預定本月底前完成量刑標準修訂，將洩露國家關鍵技術的最高刑期提高到 18 年。
(首圖來源： SK 海力士)
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