記憶體三大原廠鬆口氣？中國長鑫存儲搶攻 HBM 市場傳聞可能不如預期

根據朝鮮日報的報導，中國最大DRAM製造商長鑫存儲（CXMT）為在上海科創板上市所提出的證券申報書中，並未包含高頻寬記憶體（HBM）的相關設備投資內容。這代表著中長期間被視為會對全球三大記憶體原廠構成威脅的「中國HBM崛起」計畫，至少在這次的大規模投資中尚未浮現。

根據 CXMT 證券申報書原文的分析報告指出，此次企業公開發行（IPO）的核心在於強化通用DRAM的製造與技術基礎，文件中完全沒有提及HBM項目，也沒有針對短期內擴產HBM提供資金承諾。實際上，CXMT計畫籌集的人民幣295億元資金，將全數用於通用DRAM生產線的升級及次世代DRAM的研發。

2025年下半年開始，市場就開始傳出CXMT建置HBM封裝專屬設備，並開始向華為提供樣品的傳聞，引發全球記憶體市場對中國進軍HBM市場的擔憂。但隨著此次投資計畫未將HBM納入，中國在市場上發動HBM攻勢的說法可信度已隨之降低。

事實上，市場之所以高度關注CXMT，是因為目前高附加價值的HBM市場幾乎由三星電子、SK海力士與美光（Micron）三家全球記憶體元場所寡占，若中國企業強勢進軍，將可能動搖價格決定權與供應鏈結構。

但從實際產能來看，CXMT的HBM轉型仍處於初期階段。市場預估，到2025年底，CXMT在每月約26.5萬片的總產能中，分配給HBM的產能僅約5000片，佔比不到2%，預計到2026年底和2027年底才會緩慢增加至3萬片及5.5萬片。這也與申報書中提及2025年99%營收將來自PC、行動裝置等通用DRAM產品的趨勢相符。

而從技術成熟度方面，雙方差距依然顯著。市場人士指出，目前推測CXMT開發的HBM3的8層堆疊產品綜合良率僅約25%，以現階段的良率和品質，很難交貨給中國以外的客戶。其申報書中列出的主要客戶（如阿里雲、騰訊、字節跳動、聯想、小米等）均為現有的通用DRAM與DDR5客戶，並未特別註明HBM相關合約。

報導進一步分析，CXMT難以積極投入HBM設備投資的背景，主要是由於HBM生產的核心製程「矽穿孔（TSV）」堆疊良率等技術難度較高，加上美國對相關社的出口管制，導致取得先進設備受限。此外，CXMT目前正受到美國國防部與商務部的牽制，如果在申報書中明文列出AI加速器用的HBM投資計畫，可能會成為美方進一步制裁的把柄。

不過，另外也有看法指出，CXMT也可能透過這次IPO籌資以外的資金，例如大基金、地方政府資金等來籌措HBM投資款項，這代表他們並非不投資HBM，只是未將此次募資用於該領域。而熟知中國半導體市場的人士表示，雖然有預測認為以2027年或2028年為轉捩點，且 CXMT的HBM產能可能會比現在擴大10倍以上。但就目前而言，斷言其已正式啟動HBM發展計畫仍言之過早，未來的IPO資金執行速度與政府政策方向才會是關鍵變數。

(首圖來源：官網)