在當前競爭激烈的先進半導體製程市場中，包括英特爾與三星都正為其下一代先進製程研發新式供電技術，進行差異化的發展以進一步挑戰市場龍頭台積電。
半導體業界消息指出，傳統上晶片普遍採用正面供電方式，而近期將電源線移至晶片背面的「背面供電網路」（BSPDN）則被視為新世代標準技術。不過，英特爾更進一步，考慮在其 intel 14A2 同時利用正面與背面的混合供電方案。這代表著英特爾在次世代製程競爭中，再次選擇了製造難度極高的技術。
報導指出，若採用此結構，將可有效縮短電力傳輸距離、緩解電壓降（IR Drop）問題，並大幅提升整體效能與電力效率。但相對地，這會使製程結構變得極度複雜，製造難度隨之飆升，確保良率的壓力也會大幅增加。儘管該技術目前仍處於內部評估階段，但這顯示出英特爾正積極思考全新的次世代製程設計方式。
業界分析指出，這並非英特爾首次採取此類激進策略。在之前的 intel 18A 先進製程中，英特爾便計畫同時導入次世代電晶體結構 GAA（環繞式閘極）以及背面供電（PowerVia）技術，試圖透過搶先競爭對手導入新技術，來快速縮小技術差距。
至於，韓國三星方面也採取了極為相似的發展路線，不僅在業界首創將 GAA 技術應用於 3 奈米製程量產，更計畫在預計 2027 年量產的 2 奈米強化製程「SF2Z」中，正式導入背面供電（BSPDN）技術。這些技術雖然製造門檻極高，卻是提升晶片效能與電力效率的關鍵。
相較之下，市場龍頭台積電則採取了「階段性量產已驗證技術」的穩健策略。例如，台積電導入 GAA 技術的時機晚於三星，預計從 2 奈米製程才開始採用。另外，在背面供電技術方面也計畫延至 A16 製程才會導入。業界人士分析認為，台積電因為已掌握了龐大的客戶基礎與極高的市佔率，因此能將穩定的良率與量產能力放在首位。反觀作為追趕者的三星與英特爾，則處於必須承擔技術風險以創造差異化的處境。
半導體業界相關人士表示，在晶圓代工市場中，越是領先的企業，越傾向選擇經過驗證的技術。而後進業者為了改變市場版圖，往往會選擇率先引進新技術。該人士也強調，儘管伴隨的技術風險極高，但一旦成功就能徹底改變市場評價，這正是三星與英特爾在次世代製程上決定奮力一搏的根本原因。
(首圖來源：shutterstock)
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