ASML 宣布英特爾採用 High NA EUV 的 Intel 18A 製程進入高量產階段

作者 | 發布日期 2026 年 07 月 15 日 13:50 | 分類 半導體 , 晶圓 , 晶片 line share Linkedin share follow us in feedly line share
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ASML 宣布英特爾採用 High NA EUV 的 Intel 18A 製程進入高量產階段

半導體微影設備大廠艾司摩爾 (ASML) 發布聲明表示,英特爾晶圓代工 (Intel Foundry) 已成功在生產環境中部署 ASML 的高數值孔徑極紫外光 (High NA EUV) 技術,並正式投入高量產階段。

這項最尖端的微影技術目前應用於 intel 18A 製程節點,主要用於生產部分代號為 「Panther Lake」 的 Intel Core Ultra Series 3 處理器。ASML 指出,特定的 Intel 18A 晶片層已在美國奧勒岡州廠區通過 High NA EUV 的雙重認證,且目前出貨給客戶的產品良率,已經可以與現有的 NXE 平台相媲美。透過在特定晶片層採用 High NA EUV 圖案化,ASML 與英特爾得以收集寶貴的數據,進一步優化系統設定、提升運行時間與實際製造導入,為未來全面發揮該技術潛力、擴大採用範圍鋪路。

ASML 總裁暨執行長 Christophe Fouquet 表示,High NA EUV 有更高的解析度與更佳的製程控制,標誌著半導體微影技術的重大發展。很榮幸能參與,協助實現更小、更密集的圖案化技術,這將進一步加速 AI 與其他新興科技的進展。

英特爾晶圓代工執行副總裁暨總經理 Naga Chandrasekaran 則強調,這項里程碑展現了英特爾與 ASML 密切合作,並證明 High NA EUV 規模化整合至先進半導體製造領域。他指出,藉由在精選的 Intel 18A 產品層驗證此製程選項,不僅能利用現有設備為客戶增加產能,也為未來節點實現頂尖效能、密度及製造彈性開發了更多選擇。

回顧雙方的合作歷程,英特爾與 ASML 早在 2024 年便於奧勒岡州希爾斯伯勒(Hillsboro)研發中心,完成了業界首台商用 High NA EUV 微影系統的整合。英特爾同時也是全球首家安裝並通過第二代系統 TWINSCAN EXE:5200B 驗收測試的企業;該系統建構於前一代的基礎上,不僅配備改良的光源,更進一步提升了產出量與疊對精度。

英特爾晶圓代工正式成為業界第一家使用 High NA EUV 技術出貨高量產邏輯產品的企業。未來,英特爾與 ASML 將持續針對 High NA EUV 的量產準備保持緊密合作,並將根據客戶需求,彈性地將該技術導入未來的先進製程節點。

(首圖來源:英特爾)

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