高塔半導體擴充日本矽光子產能、將獲補助 ADR 飆

因應 AI 資料中心需求擴大，以色列晶圓代工業者高塔半導體（Tower Semiconductor）將擴充日本矽光子（SiPho）、矽鍺（SiGe）產能，將蓋新廠，且將獲得日本政府補助。高塔半導體 ADR 聞訊狂飆。

高塔半導體ADR 14日飆漲11.24%，收255.49美元，今年迄今股價累計狂飆117.7%。

高塔半導體14日公布獲日本政府援助的策略性投資計畫，為了因應AI資料中心需求擴大，將在日本富山縣魚津市及新瀉縣妙高市擴充12吋矽光子、矽鍺以及先進封裝相關的研發及產能，總投資額規模預估將超過6,000億日圓，日本政府最高將補助約1,600億日圓。

高塔半導體指出，預計把位於新瀉縣妙高市的新井工廠（原Fab 6）轉型為12吋矽光子及先進封裝平台，並將最大限度活用富山縣魚津市Fab 7的12吋產能。高塔半導體2027年第四季確立量產，擴大為日本及全球客戶提供迅速且高可靠度的供貨。

高塔半導體並指出，計畫在Fab 7附近興建12吋新廠，新廠可大幅擴充高塔半導體的矽光子及矽鍺產能，以期滿足由AI、資料中心以及次世代光互連技術所帶動的強勁需求。

日本經濟產業省指出，高塔半導體在美國、義大利也擁有生產據點，目前在美國及以色列掛牌上市。

（本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載；首圖來源：高塔半導體）