中國先行試產出 40 奈米 ReRAM,進一步卡位記憶體市場

作者 | 發布日期 2017 年 01 月 17 日 16:00 | 分類 晶片 , 會員專區 , 記憶體 Telegram share ! follow us in feedly


近年來,中國政府為了達成在 2018 年晶片自給率的要求,正全面扶植中國半導體廠商。使得以紫光為代表的中國半導體企業,正在斥資數百億美元的資金,投入 NAND、DRAM 等記憶體產業的發展,期望在不久的將來能推出中國國產的 3D NAND 快閃記憶體。只是,在 NAND 記憶體的領域中,中國企業的發展已經晚了二十多年,對既有的台韓美等廠商起不了憾動作用。因此,就將希望放在新一代記憶體技術上。日前,中芯國際(SMIC)日前正式出樣 40 奈米製程的 ReRAM (非易失性阻變式存儲器)記憶體,就是一個明顯的例子。

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