紫光趙偉國:2019 年量產 64 層堆疊 128G NAND Flash 快閃記憶體 作者 Atkinson | 發布日期 2018 年 08 月 23 日 17:15 | 分類 國際貿易 , 晶片 , 會員專區 | edit 就在中國全力發展記憶體產業的情況下,中國紫光集團董事長趙偉國表示,紫光集團將會在 2019 年正式量產 64 層堆疊的 128G 的 NAND Flash 快閃記憶體,逐步追趕與國際大廠的距離。 從這裡可透過《Google 新聞》追蹤 TechNews 科技新知,時時更新 科技新報粉絲團 加入好友 訂閱免費電子報 關鍵字: NAND Flash , 中國紫光 , 半導體 , 晶片 , 聯發科 , 處理器 , 記憶體 , 趙偉國 , 雲端運算 , 高通