紫光趙偉國：2019 年量產 64 層堆疊 128G NAND Flash 快閃記憶體
作者 | 發布日期 2018 年 08 月 23 日 17:15 | 分類 國際貿易 , 晶片 , 會員專區 line share Linkedin share follow us in feedly line share
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紫光趙偉國：2019 年量產 64 層堆疊 128G NAND Flash 快閃記憶體

就在中國全力發展記憶體產業的情況下，中國紫光集團董事長趙偉國表示，紫光集團將會在 2019 年正式量產 64 層堆疊的 128G 的 NAND Flash 快閃記憶體，逐步追趕與國際大廠的距離。

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